[發明專利]感光傳感器及其制備方法、陣列基板、顯示面板有效
| 申請號： | 202010190030.9 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111370524B | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 肖軍城;艾飛;宋繼越 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/105 | 分類號： | H01L31/105;H01L31/18;H01L27/32;G02F1/1333;G06K9/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 感光 傳感器 及其 制備 方法 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種感光傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在一襯底基板上形成一第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上形成一多晶硅層，并對所述多晶硅層進行圖案化，形成一第一區、一第二區以及夾在所述第一區與所述第二區之間的一第三區；
采用離子植入的方式，對所述多晶硅層的所述第一區進行第一離子摻雜形成P型區，及對所述多晶硅層的所述第二區進行第二離子摻雜形成N型區；
在所述多晶硅層上形成一非晶硅感光層，所述非晶硅感光層覆蓋所述第三區并分別向所述P型區及所述N型區延伸，所述第三區形成I型區；
在所述非晶硅感光層上形成一第二絕緣層，并在所述第二絕緣層上對應所述P型區的區域內形成一第一連接孔，及在對應所述N型區的區域內形成一第二連接孔；以及
在所述第二絕緣層上形成一電極層，所述電極層包括第一電極及一第二電極，其中，所述第一電極通過所述第一連接孔連接所述P型區，所述第二電極通過所述第二連接孔連接所述N型區。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過兩道光罩工藝分別進行所述第一離子與所述第二離子的離子植入。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
所述的對所述多晶硅層進行圖案化，形成一第一區、一第二區以及夾在所述第一區與所述第二區之間的一第三區的步驟中，所形成的第三區為空白區域；以及
所述的在所述多晶硅層上形成一非晶硅感光層的步驟中，形成所述非晶硅感光層的材料進一步填充所述第三區，以在所述第三區形成I型區。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的對所述多晶硅層進行圖案化，形成一第一區、一第二區以及夾在所述第一區與所述第二區之間的一第三區的步驟中，所形成的第三區為多晶硅區，所述多晶硅區作為I型區。
5.一種感光傳感器，其特征在于，包括：
一第一絕緣層，設置于一襯底基板上；
一半導體層，所述半導體層包括沿橫向依次設置于所述第一絕緣層上的一P型區、一I型區和一N型區；
一非晶硅感光層，覆蓋所述I型區并分別向所述P型區及所述N型區延伸；
一第二絕緣層，覆蓋所述非晶硅感光層，所述第二絕緣層在對應所述P型區的區域內具有一第一連接孔，在對應所述N型區的區域內具有一第二連接孔；以及
一電極層，設置于所述第二絕緣層上，所述電極層包括一第一電極和一第二電極，所述第一電極通過所述第一連接孔連接所述P型區，所述第二電極通過所述第二連接孔連接所述N型區。
6.如權利要求5所述的感光傳感器，其特征在于，所述第一絕緣層包括：
一遮光層，設置于所述襯底基板上；以及
一緩沖層，設置于所述襯底基板上并覆蓋所述遮光層；
其中，所述遮光層為采用不透光材料制成的單層或疊層結構。
7.如權利要求5所述的感光傳感器，其特征在于，所述非晶硅感光層的材料為本征非晶硅，所述非晶硅感光層的膜層厚度大于或等于2000埃。
8.如權利要求5所述的感光傳感器，其特征在于，所述I型區的材料為本征非晶硅或多晶硅。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括：
一襯底基板；
一薄膜晶體管層，設于所述襯底基板上；以及
至少一感光傳感器，設于所述襯底基板上；
其中，所述感光傳感器采用如權利要求5-8任一項所述的感光傳感器。
10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求9所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
