[發(fā)明專利]質(zhì)量范圍改進(jìn)的離子俘獲方案在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010174928.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-03-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111696846A | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·諾爾丁;A·馬卡羅夫;A·彼得森 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 塞莫費(fèi)雪科學(xué)(不來梅)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J49/06 | 分類號(hào)： | H01J49/06;H01J49/42 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 陶家蓉;陳揚(yáng)揚(yáng) |
| 地址： | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 質(zhì)量 范圍 改進(jìn) 離子 俘獲 方案 | ||
1.一種在離子俘獲組件中俘獲離子的方法，所述方法包括：
(a)向所述離子俘獲組件引入離子，
(b)向所述離子俘獲組件施加第一RF俘獲振幅，從而俘獲具有第一m/z比范圍內(nèi)的m/z比的引入離子；
(c)冷卻俘獲的離子；
(d)將RF俘獲振幅從所述第一RF俘獲振幅降至較低的第二RF俘獲振幅，從而降低所述離子俘獲組件的低質(zhì)量截止值；并且
(e)在所述較低的第二RF俘獲振幅俘獲具有第二m/z比范圍內(nèi)的m/z比的引入離子；
其中所述第二m/z比范圍的質(zhì)量下限值低于施加所述第一RF俘獲振幅時(shí)離子俘獲組件的低質(zhì)量截止值，
其中所述離子俘獲組件中已俘獲離子的總數(shù)被保持低于作為所述第一和所述第二RF俘獲振幅的函數(shù)測(cè)定的閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
向所述離子俘獲組件施加n個(gè)另外的RF俘獲振幅，它們各自是所述第一和所述第二RF俘獲振幅的居間俘獲振幅，其中n≥1，n個(gè)另外的RF俘獲振幅各自使得具有相應(yīng)的第n個(gè)m/z比范圍的引入離子俘獲，所述第n個(gè)m/z比范圍各自具有質(zhì)量下限值；
該方法還包括在降低RF俘獲振幅至相對(duì)較低的俘獲振幅之前，冷卻在相對(duì)較高的RF俘獲振幅俘獲的引入離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將所述第一RF俘獲振幅、所述第二RF俘獲振幅和/或所述n個(gè)另外居間RF俘獲振幅之每者施加相同的持續(xù)時(shí)間或其中將所述第一RF俘獲振幅、所述第二RF俘獲振幅和/或所述n個(gè)另外居間RF俘獲振幅之每者中至少一些施加不同的時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中所述RF俘獲振幅被從所述第一RF俘獲振幅連續(xù)降至所述第二RF俘獲振幅，從而連續(xù)降低所述離子俘獲組件的所述低質(zhì)量截止值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述方法包括連續(xù)冷卻所述俘獲的離子，同時(shí)連續(xù)降低所述RF俘獲振幅。
6.根據(jù)任何一前述權(quán)利要求所述的方法，其中將選定m/z比范圍內(nèi)的離子從上游離子裝置引入所述離子俘獲組件，其中所述上游離子裝置傳輸選定m/z比范圍內(nèi)的離子，所述方法還包括：
調(diào)整所述上游離子裝置，以降低選定m/z比范圍的質(zhì)量下限值；并且
將RF俘獲振幅從所述第一RF俘獲振幅降至較低的所述第二RF俘獲振幅，而所述上游離子裝置的選定m/z比范圍的質(zhì)量下限值降低。
7.根據(jù)任何一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述離子俘獲組件是離子阱。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述離子俘獲組件包括離子阱和離子冷卻裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，步驟(b)中，向所述離子冷卻裝置施加所述第一RF俘獲振幅，從而具有所述第一m/z比范圍內(nèi)m/z比的離子被俘獲于所述離子冷卻裝置中；
其中，步驟(c)中，俘獲的離子于所述離子冷卻裝置中冷卻；
其中，在步驟(c)之后和步驟(d)之前，所述方法包括步驟(c)(i)，
其包括將俘獲的離子從所述離子冷卻裝置傳輸至離子阱，同時(shí)向所述離子冷卻裝置施加所述第一RF俘獲振幅并同時(shí)向所述離子阱施加相應(yīng)的所述第一RF俘獲振幅，從而，所述離子阱和所述離子冷卻裝置在步驟(c)(i)中的離子傳輸期間具有相同的低質(zhì)量截止值，在相應(yīng)的RF俘獲振幅俘獲離子阱中的已傳輸離子；
其中，步驟(d)中，將施加至所述離子阱的RF俘獲振幅降至所述較低的第二RF俘獲振幅，從而降低所述離子阱的低質(zhì)量截止值，優(yōu)選地，其中，步驟(d)中，將施加至所述離子冷卻裝置的RF俘獲振幅降至相應(yīng)的第二RF俘獲振幅，從而所述離子阱和所述離子冷卻裝置在步驟(d)期間具有相同的低質(zhì)量截止值。
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