提供適于防止/抑制接合對象物間的燒結接合用材料的溢出且適于確保形成的燒結層的接合強度的、燒結接合用片、帶基材的燒結接合用片、及帶燒結接合用材料層的半導體芯片。燒結接合用片包含：含有導電性金屬的燒結性顆粒和粘結劑成分，經過對5mm見方的Si芯片具有的銀平面的規定條件下的加壓處理從而轉印到銀平面上的燒結接合用材料層的面積相對于銀平面的面積的比率為0.75～1。帶基材的燒結接合用片即片體(X)具有包含基材和燒結接合用片的層疊結構。帶燒結接合用材料層的半導體芯片具備半導體芯片和該燒結接合預定面上的源自燒結接合用片的燒結接合用材料層，燒結接合用材料層的面積相對于燒結接合預定面的面積的比率為0.75～1。

技術領域

本發明涉及能夠用于半導體裝置的制造等的燒結接合用片及帶基材的燒結接合用片、以及帶燒結接合用材料層的半導體芯片。

背景技術

半導體裝置的制造中，作為用于對于引線框、絕緣電路基板等支撐基板將半導體芯片與支撐基板側電連接的同時進行芯片接合的方法，已知：在支撐基板與芯片之間形成Au-Si共晶合金層來實現接合狀態的方法；利用焊料、含有導電性顆粒的樹脂作為接合材料的方法。

另一方面，承擔電力的供給控制的功率半導體裝置的普及近年來變得顯著。功率半導體裝置常常由于工作時的通電量大而放熱量大。因此，功率半導體裝置的制造中，關于將半導體芯片與支撐基板側電連接的同時與支撐基板進行芯片接合的方法，要求在高溫工作時也能夠實現可靠性高的接合狀態。采用SiC、GaN作為半導體材料從而實現了高溫工作化的功率半導體裝置中，這種要求特別強烈。而且，為了響應這樣的要求，作為伴有電連接的芯片接合方法，提出了使用含有燒結性顆粒和溶劑等的燒結接合用的組合物的技術。

使用含有燒結性顆粒的燒結接合用材料進行的芯片接合中，首先，對于支撐基板的芯片接合預定面借助燒結接合用材料在規定的溫度·載荷條件下載置半導體芯片。之后，以在支撐基板與其上的半導體芯片之間產生燒結接合用材料中的溶劑的揮發等且燒結性顆粒間進行燒結的方式，進行規定的溫度·加壓條件下的加熱工序。由此，在支撐基板與半導體芯片之間形成燒結層，半導體芯片對支撐基板進行電連接的同時進行機械接合。這種技術例如記載于下述專利文獻1、2。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-039580號公報

專利文獻2：日本特開2014-111800號公報

發明內容

發明要解決的問題

在要進行基于燒結接合的芯片接合的半導體裝置制造過程中，以往，有時將含有燒結性顆粒的糊狀組合物涂布于每個半導體芯片。但是，這種方法沒有效率。

另一方面，要進行基于燒結接合的芯片接合的半導體裝置制造過程中，為了對多個半導體芯片一次性供給燒結接合用材料，考慮例如經過如下那樣的工藝。首先，在單面具有粘合面的加工用帶和/或其粘合面上排列多個半導體芯片。接著，對加工用帶上的半導體芯片陣列按壓并貼合制作成了片形態的作為燒結接合用材料的燒結接合用片。接著，將燒結接合用片中被壓接于半導體芯片的部位殘留在該半導體芯片上，同時進行該片體的剝離。通過該片體的貼合和之后的剝離，進行燒結接合用材料從片體向各半導體芯片的轉印時(即，與周圍分離的燒結接合用片小片在半導體芯片上產生時)，能夠得到帶燒結接合用材料層的半導體芯片(轉印工序)。根據這種方法，能夠對多個半導體芯片一次性供給燒結接合用材料。