[發明專利]燒結接合用片、帶基材的燒結接合用片、以及帶燒結接合用材料層的半導體芯片在審
| 申請號： | 202010170995.1 | 申請日： | 2020-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111690339A | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 三田亮太;市川智昭 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/30 | 分類號： | C09J7/30;C09J9/02;C09J169/00;C09J11/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 接合 基材 以及 用材 半導體 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種燒結接合用片，其包含：含有導電性金屬的燒結性顆粒、和粘結劑成分，
經過對具有形成芯片平面的銀平面的5mm見方的硅芯片的所述銀平面的、在溫度為70℃或90℃、載荷10MPa及加壓時間5秒的條件下的加壓處理從而轉印到該銀平面上的燒結接合用材料層的面積相對于所述銀平面的面積的比率為0.75～1。
2.根據權利要求1所述的燒結接合用片，其中，對于經過加熱溫度300℃、加壓力10MPa及加熱時間150秒的燒結條件而燒結接合的銀平面的、23℃下的剪切接合力為50MPa以上。
3.根據權利要求1所述的燒結接合用片，其中，對于經過加熱溫度300℃、加壓力40MPa及加熱時間300秒的燒結條件而燒結接合的銀平面的、23℃下的剪切接合力為50MPa以上。
4.一種帶基材的燒結接合用片，其具有層疊結構，所述層疊結構包含：基材、和權利要求1至3中任一項所述的燒結接合用片。
5.一種帶燒結接合用材料層的半導體芯片，其具備：
具有燒結接合預定面的半導體芯片；和
所述燒結接合預定面上的、源自權利要求1至3中任一項所述的燒結接合用片的燒結接合用材料層，
所述燒結接合用材料層的面積相對于所述燒結接合預定面的面積的比率為0.75～1。
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