本發明提供了一種硅烷偶聯劑低聚物溶液及其制備方法和應用，所述硅烷偶聯劑低聚物溶液的制備原料包括硅烷偶聯劑單體、溶劑、硅前驅體溶液、催化劑和稀釋劑。本發明所述硅烷偶聯劑低聚物溶液的制備原料中通過引入硅前驅體，不僅有效提升了硅烷偶聯劑低聚物的穩定性，還使其保留了氨基、環氧基等有機端官能團，增強有機粘結劑在金屬、玻璃等無機材料表面上的粘結效果。另外，本發明所述硅烷偶聯劑低聚物溶液的制備原料中引入硅前驅體，還能有效提高硅烷偶聯劑低聚物的空間位阻，不僅可以實現硅烷偶聯劑水解后硅醇的有限自聚，但又不易自聚成凝膠狀態的目的，也保證了在含水情況下硅烷偶聯劑低聚物的穩定性，提高了硅烷偶聯劑低聚物的活性。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，具體涉及一種硅烷偶聯劑低聚物溶液及其制備方法和應用。

背景技術

在半導體封裝工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，涂膠質量直接影響到光刻的質量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕?，F有技術中很多專利做出各種嘗試來克服上述問題。

CN105419675A公開了一種硅烷偶聯劑，其加入到膠黏劑中，一方面通過改進官能團的種類，從而使其能在基材表面吸附、擴散、浸潤，從而形成化學粘接；另一方面通過調節兩種官能團的比例，使與基材形成粘接后，在表面形成疏水層，阻止水的滲入，保持基材表面的干燥，從而提高與材料表面的浸水粘接性。該材料主要還存在以下方面的問題：當所述硅烷偶聯劑合成中使用大量的醇和水，無法保證與膠黏劑的互溶性，另外，溶劑烘干，會造成偶聯劑的水解及縮合反應平衡右移，造成偶聯劑穩定及析出問題，而且偶聯劑與膠混合后遇水后的儲存穩定性也存在風險。

CN1120186C、CN103992437B、CN106893112A等專利的技術方案都能在一定程度上解決上述問題，但其中多數都是采用丙烯酸單體與含有不飽和鍵的硅烷偶聯劑聚合形成大分子量的硅烷偶聯劑，也有用硅烷偶聯劑烷基鏈上面的氨基、環氧基等基團接枝到丙烯酸或者聚氨酯、聚酯結構上，這種硅烷偶聯劑，雖然保留了一部分硅烷偶聯劑的性能，但是卻失去了偶聯劑與涂層或者膠黏劑層的反應能力，導致樹脂層和基材的粘附力大大下降，并且硅含量的降低，直接導致樹脂層和基材再受到水以及含水電解質侵蝕的狀況下，疏水能力下降，且隨著時間的推移，樹脂層和基材被破壞的概率也進一步上升。

CN105384766A中公開了一種水性硅烷偶聯劑組合物，其獲(i)含琥珀酸酐的硅烷偶聯劑和(ii)含巰基的硅烷偶聯劑以99:1至1:1的摩爾比的共水解反應，特別是通過進行硅烷偶聯劑(i)和(ii)的共水解反應并且除去所產生的醇，從而使得揮發性有機化合物的含量為所述組合物中的可通過頂空氣相色譜法檢測的揮發性組分的10wt％以下，并且所產生的組合物在高溫條件下具有改進的儲存穩定性且有希望作為改性劑。該發明解決了偶聯劑水解產物高溫下穩定性問題，但是其含有巰基，在針對晶圓制造過程中的金屬Cu及Ag造成極大的腐蝕，同時具有極難聞的味道，限制了其應用。

因此，嘗試開發一種硅烷偶聯劑，一方面解決現今普遍存在的硅烷偶聯劑在水體系水解縮合過程不受控、易過度水解自聚以及在貯存過程中的穩定性差的問題；另一方面還要進一步提高硅烷偶聯劑的疏水性能，進而減小樹脂層和基材被破壞的概率。

發明內容