本申請涉及一種離子植入在線監測方法、裝置、計算機設備和存儲介質。所述方法包括：獲取當前進行離子植入的晶圓的理論離子植入劑量；獲取離子植入設備以所述理論離子植入劑量進行離子植入的運行參數；利用所述運行參數和所述理論離子植入劑量進行計算得到離子植入比；將所述離子植入比與預設植入比進行比較，并根據比較結果確定本次離子植入得到的晶圓產品是否異常。采用本方法利用理論離子植入劑量和設備的運行參數計算得到離子植入比，通過將植入比與預設植入比進行比較進而實現判斷實際植入到晶圓中的離子植入是否存在異常，實現了在線監測，減少了對晶圓允收測試的依賴，能夠準確的在離子植入階段剔除損壞的晶圓產品，避免了資源浪費。

技術領域

本發明涉及離子植入技術領域，尤其涉及一種離子植入在線監測方法、裝置、計算機設備和存儲介質。

背景技術

離子植入技術在半導體制造技術中有著廣泛的應用，例如現有的盤式離子植入機，請參照圖1所示，靶盤10沿圓周方向均勻設置多個，晶圓置于靶盤10上，靶盤10圍繞通過圓心的水平軸在圓周平面(即圖1中X-Y平面內)旋轉，將晶圓依次送至離子束20所在的區域，離子束20固定不動，靶盤10以1000-1500轉/分鐘的速度自轉，同時靶盤10還以1-5英尺/秒的速度整體上下(即圖1中Y方向)運動，從而離子注入到晶圓的各個位置上。在離子植入過程中，盤式離子植入機按照設定值對晶圓進行離子植入，進而得到晶圓產品。但在晶圓產品中實際離子植入劑量與設定值之間通常存在差異，并且實際離子植入劑量也直接影響產品的性能。

目前，晶圓產品離子實際注入劑量測量是通常采用間接測得或者利用晶片允收測試的方式確定。一方面，間接測量受干擾的因素較多，測量不準確。另一方面，晶片允收測試的方法只能等到晶圓完成所有的制程工藝后才能進行測試，然而晶圓完成所有的制程工藝耗費時間較長，并且在離子植入后到晶圓允收試驗前還需要進行其他的工藝，在離子植入時就已損壞的產品若不能及時發現，繼續進行后續的工藝將造成不必要的資源浪費。

發明內容

基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種離子植入在線監測方法、裝置、計算機設備和存儲介質。

一種離子植入在線監測方法，所述方法包括：

獲取當前進行離子植入的晶圓的理論離子植入劑量；

獲取離子植入設備以所述理論離子植入劑量進行離子植入的運行參數；

利用所述運行參數和所述理論離子植入劑量進行計算得到離子植入比；

將所述離子植入比與預設植入比進行比較，并根據比較結果確定本次離子植入得到的晶圓產品是否異常。

在其中一個實施例中，所述運行參數包括：靶盤上下移動次數、靶盤上下移動速度和離子束電流中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述運行參數為靶盤上下移動次數、靶盤上下移動速度和離子束電流；

則所述利用所述運行參數和所述理論離子植入劑量進行計算得到離子植入比的步驟包括：

將所述離子束電流與所述靶盤上下移動次數相乘，以得到第一乘積；

將所述靶盤上下移動速度與所述理論離子植入劑量相乘，以得到第二乘積；

將所述第一乘積與所述第二乘積的比值作為所述離子植入比。

在其中一個實施例中，所述將所述離子植入比與預設植入比進行比較，并根據比較結果確定本次離子植入得到的晶圓產品是否異常的步驟包括：

計算所述離子植入比與所述預設植入比的誤差率；

將所述誤差率與預設誤差率進行比較以確定所述晶圓產品是否異常。

在其中一個實施例中，所述將所述誤差率與預設誤差率進行比較以確定所述晶圓產品是否異常的步驟包括：