[發明專利]離子植入在線監測方法、裝置、計算機設備和存儲介質有效
| 申請號: | 202010080683.1 | 申請日: | 2020-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN111326384B | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 王智權;滕庚烜 | 申請(專利權)人: | 和艦芯片制造(蘇州)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/317 | 分類號: | H01J37/317;H01J37/244 |
| 代理公司: | 北京連和連知識產權代理有限公司 11278 | 代理人: | 張濤 |
| 地址: | 215025 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 離子 植入 在線 監測 方法 裝置 計算機 設備 存儲 介質 | ||
1.一種離子植入在線監測方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取當前進行離子植入的晶圓的理論離子植入劑量;
獲取離子植入設備以所述理論離子植入劑量進行離子植入的運行參數;
利用所述運行參數和所述理論離子植入劑量進行計算得到離子植入比;
將所述離子植入比與預設植入比進行比較,并根據比較結果確定本次離子植入得到的晶圓產品是否異常;
所述運行參數為靶盤上下移動次數、靶盤上下移動速度和離子束電流;
則所述利用所述運行參數和所述理論離子植入劑量進行計算得到離子植入比的步驟包括:
將所述離子束電流與所述靶盤上下移動次數相乘,以得到第一乘積;
將所述靶盤上下移動速度與所述理論離子植入劑量相乘,以得到第二乘積;
將所述第一乘積與所述第二乘積的比值作為所述離子植入比;
其中,所述離子束電流以毫安為單位取值,所述靶盤上下移動速度以英尺/秒為單位取值,所述理論離子植入劑量以1E+13為單位取值,所述靶盤上下移動次數以次為單位取值。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將所述離子植入比與預設植入比進行比較,并根據比較結果確定本次離子植入得到的晶圓產品是否異常的步驟包括:
計算所述離子植入比與所述預設植入比的誤差率;
將所述誤差率與預設誤差率進行比較以確定所述晶圓產品是否異常。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述將所述誤差率與預設誤差率進行比較以確定所述晶圓產品是否異常的步驟包括:
響應于所述誤差率小于等于所述預設誤差率,則所述晶圓產品正常。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
預先獲取采用所述離子植入設備對多個樣本晶圓進行離子植入的樣本數據,其中,所述樣本數據包括每一樣本晶圓的理論植入劑量和離子植入設備的運行參數;
根據所述樣本數據設定所述預設植入比。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述預設植入比介于0.85-1.15之間。
6.一種離子植入在線監測裝置,其特征在于,包括:獲取單元,計算單元和比較單元;
所述獲取單元,用于獲取當前進行離子植入的晶圓的理論離子植入劑量;以及用于獲取離子植入設備以所述理論離子植入劑量進行離子植入的運行參數;
所述計算單元,用于利用所述運行參數和所述理論離子植入劑量進行計算得到離子植入比;
所述比較單元,用于將所述離子植入比與預設植入比進行比較,以及根據比較結果確定本次離子植入得到的晶圓產品是否異常;
所述運行參數為靶盤上下移動次數、靶盤上下移動速度和離子束電流;
所述計算單元進一步用于:
將所述離子束電流與所述靶盤上下移動次數相乘,以得到第一乘積;
將所述靶盤上下移動速度與所述理論離子植入劑量相乘,以得到第二乘積;
將所述第一乘積與所述第二乘積的比值作為所述離子植入比;
其中,所述離子束電流以毫安為單位取值,所述靶盤上下移動速度以英尺/秒為單位取值,所述理論離子植入劑量以1E+13為單位取值,所述靶盤上下移動次數以次為單位取值。
7.一種計算機設備,包括存儲器和處理器,所述存儲器存儲有計算機程序,其特征在于,所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1至5中任一項所述方法的步驟。
8.一種計算機可讀存儲介質,其上存儲有計算機程序,其特征在于,所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至5中任一項所述的方法的步驟。
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