提供能夠提高電磁波的衰減特性的電磁波衰減體及電子裝置。根據實施方式，電磁波衰減體包括多層構件及磁性構件。所述多層構件包括多個磁性層和導電性的多個非磁性層。從所述多個磁性層中的一個磁性層向所述多個磁性層中的另一個磁性層的方向沿著從所述多層構件向所述磁性構件的第1方向。所述多個非磁性層中的一個非磁性層位于所述多個磁性層中的所述一個磁性層與所述多個磁性層中的所述另一個磁性層之間。所述磁性構件的沿著所述第1方向的厚度為所述多層構件的沿著所述第1方向的厚度的1/2以上。

本申請以日本專利申請2019-012148(申請日2019年1月28日)為基礎，享有該申請的優先利益。本申請通過參照該申請而包含該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及電磁波衰減體及電子裝置。

背景技術

提出了例如電磁屏蔽片材等電磁波衰減體。存在包括電磁波衰減體及半導體元件的電子裝置。期望在電磁波衰減體中，使電磁波的衰減特性提高。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠提高電磁波的衰減特性的電磁波衰減體及電子裝置。

用于解決課題的技術方案

根據本發明的實施方式，電磁波衰減體包括多層構件及磁性構件。所述多層構件包括多個磁性層和導電性的多個非磁性層。從所述多個磁性層中的一個磁性層向所述多個磁性層中的另一個磁性層的方向沿著從所述多層構件向所述磁性構件的第1方向。所述多個非磁性層中的一個非磁性層位于所述多個磁性層中的所述一個磁性層和所述多個磁性層中的所述另一個磁性層之間。所述磁性構件的沿著所述第1方向的厚度為所述多層構件的沿著所述第1方向的厚度的1/2以上。

根據上述構成的電磁波衰減體及電子裝置，能夠提供可以提高電磁波的衰減特性的電磁波衰減體及電子裝置。

附圖說明

圖1的(a)～圖1的(c)是例示第1實施方式涉及的電磁波衰減體的示意圖。

圖2是例示電磁波衰減體的特性的坐標圖。

圖3是例示電磁波衰減體的特性的坐標圖。

圖4的(a)及圖4的(b)是例示第1實施方式涉及的電磁波衰減體的示意截面圖。

圖5的(a)及圖5的(b)是例示參考例的電磁波衰減體的示意截面圖。

圖6是例示第1實施方式涉及的電磁波衰減體的示意俯視圖。

圖7是例示第1實施方式涉及的電磁波衰減體的示意截面圖。

圖8的(a)～圖8的(d)是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意圖。

圖9的(a)～圖9的(d)是例示第2實施方式涉及的電子裝置的一部分的示意截面圖。

圖10是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意截面圖。

圖11是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意截面圖。

圖12是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意截面圖。

圖13是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意截面圖。

圖14是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意截面圖。

圖15是例示第2實施方式涉及的電子裝置的示意截面圖。

標號說明