[發明專利]電磁波衰減體及電子裝置有效
| 申請號： | 202010068778.1 | 申請日： | 2020-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN111491500B | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發明（設計）人： | 喜喜津哲;黑崎義成;山田健一郎;松中繁樹 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;芝浦機械電子株式會社 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電磁波 衰減 電子 裝置 | ||
1.一種電磁波衰減體，具備：
多層構件；和
磁性構件，
所述多層構件包括多個磁性層和導電性的多個非磁性層，
從所述多個磁性層中的一個磁性層向所述多個磁性層中的另一個磁性層的方向沿著第1方向，所述第1方向是從所述多層構件向所述磁性構件的方向，
所述多個非磁性層中的一個非磁性層位于所述多個磁性層中的所述一個磁性層與所述多個磁性層中的所述另一個磁性層之間，
所述磁性構件的沿著所述第1方向的厚度為所述多層構件的沿著所述第1方向的厚度的1/2以上，
所述磁性構件與所述多層構件相接。
2.根據權利要求1所述的電磁波衰減體，
所述磁性構件包括第1構件區域及第2構件區域，所述第1構件區域在所述第1方向上位于所述第2構件區域與所述多層構件之間，
所述第1構件區域包含多個第1晶粒，
所述第2構件區域包含多個第2晶粒，
所述多個第1晶粒的尺寸的平均值比所述多個第2晶粒的尺寸的平均值小。
3.根據權利要求1所述的電磁波衰減體，
所述磁性構件包括第1構件面及第2構件面，所述第1構件面在所述第1方向上位于所述第2構件面與所述多層構件之間，
所述第1構件面包含多個第1晶粒，
所述第2構件面包含多個第2晶粒，
所述多個第1晶粒的尺寸的平均值比所述多個第2晶粒的尺寸的平均值小。
4.根據權利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個磁性層中的所述一個磁性層包含第3晶粒，
所述第3晶粒的尺寸的平均值為40nm以下。
5.根據權利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個磁性層中的所述一個磁性層包括與所述多個非磁性層中的所述一個非磁性層相對向的第1磁性層面，
所述第1磁性層面包括第1頂部和第1底部，
所述第1頂部與所述第1底部之間的沿著所述第1方向的距離為10nm以上。
6.根據權利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個磁性層中的所述一個磁性層包括與所述多個非磁性層中的所述一個非磁性層相對向的第1磁性層面，
所述第1磁性層面包括第1頂部、第2頂部及第1底部，
與所述第1方向交叉的第2方向上的所述第1底部的位置位于所述第2方向上的所述第1頂部的位置與所述第2方向上的所述第2頂部的位置之間，
所述多個非磁性層中的所述一個非磁性層的至少一部分在所述第2方向上位于所述第1頂部與所述第2頂部之間。
7.根據權利要求1所述的電磁波衰減體，
所述多個磁性層中的所述一個磁性層的至少一部分包含選自Co、Ni及Fe中的至少一種。
8.根據權利要求7所述的電磁波衰減體，
所述多個磁性層中的所述一個磁性層的所述至少一部分還包含選自Cu、Mo及Cr中的至少一種。
9.一種電子裝置，具備：
權利要求1所述的電磁波衰減體；和
電子元件。
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