[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010030566.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111863964A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 廖忠志 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
一鰭狀物，自一基板延伸，且該鰭狀物包括一通道區(qū)以及與該通道區(qū)相鄰的一源極/漏極區(qū)；
一柵極結(jié)構(gòu)，位于該通道區(qū)上，且該柵極結(jié)構(gòu)包括一上側(cè)部分與一下側(cè)部分；
一第一間隔物，沿著該柵極結(jié)構(gòu)的該下側(cè)部分的側(cè)壁延伸；以及
一第二間隔物，沿著該柵極結(jié)構(gòu)的該上側(cè)部分的側(cè)壁延伸，
其中該第二間隔物位于該第一間隔物的上表面上，
其中該第一間隔物的組成為一第一介電材料，該第二間隔物的組成為一第二介電材料，且該第一介電材料與該第二介電材料不同。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
