本實(shí)用新型公開一種卷軸體，其具備卷芯和卷繞在卷芯上的半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜。臨時(shí)保護(hù)膜可以是：具備支撐膜和設(shè)置在支撐膜的單面或兩面上且含有樹脂和硅烷偶聯(lián)劑的粘接層，臨時(shí)保護(hù)膜中，硅烷偶聯(lián)劑的含量相對于樹脂總量超過5質(zhì)量％且為35質(zhì)量％以下。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及卷軸體、包裝體及捆包物。

背景技術(shù)

一直以來使用如下結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝：利用銀糊料等粘接劑將半導(dǎo)體元件粘接在芯片焊盤上，利用導(dǎo)線將其與引線框接合之后，殘留外部連接用的外部引線而將整體密封。但是，隨著近年的半導(dǎo)體封裝的高密度化、小面積化、薄型化等要求的提高，提出了各種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝。其中，例如有LOC(lead on chip，芯片上引線)、COL(chip on lead，引線上芯片)結(jié)構(gòu)等，但在小面積化、薄型化的方面是有限的。

為了解決這些技術(shù)問題，開發(fā)出了將僅對封裝的單面(半導(dǎo)體元件一側(cè))進(jìn)行密封而背面裸露出的引線框用于外部連接用的結(jié)構(gòu)的封裝(專利文獻(xiàn)1及2)。由于該結(jié)構(gòu)的封裝的引線框不從密封樹脂突出，因此可謀求小面積化及薄型化。作為制造該封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的方法之一，有由以下所示工序組成的制造方法。

(1)在具有芯片焊盤及內(nèi)引線的引線框的單面(背面)上粘貼半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜的工序；

(2)在芯片焊盤的與臨時(shí)保護(hù)膜相反一側(cè)的面上搭載(粘接)半導(dǎo)體元件的工序；

(3)設(shè)置將半導(dǎo)體元件與內(nèi)引線連接的導(dǎo)線的工序；

(4)形成對半導(dǎo)體元件及導(dǎo)線進(jìn)行密封的密封層，獲得具有引線框、半導(dǎo)體元件及密封層的密封成形體的工序；

(5)將臨時(shí)保護(hù)膜從密封成形體上剝離的工序。

在利用該方法制造半導(dǎo)體封裝時(shí)，有時(shí)在密封成形時(shí)會(huì)發(fā)生密封樹脂繞到引線框背面等不良情況。作為防止這種不良情況的方法，已知有下述方法：將臨時(shí)保護(hù)膜作為半導(dǎo)體用粘接膜粘貼在引線框背面，對引線框背面進(jìn)行保護(hù)，在對搭載于引線框表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件進(jìn)行密封成形之后，將臨時(shí)保護(hù)膜剝?nèi)ァ?/p>

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-129473號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開平10-12773號公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容

實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題

目前，對于半導(dǎo)體封裝，裝配工藝條件的高溫化(Cu引線接合、回流連接(CuClip連接等))正在發(fā)展。與此相伴，在將臨時(shí)保護(hù)膜從密封成形體上剝離的工序中，有時(shí)臨時(shí)保護(hù)膜與引線框及密封層牢固地粘接，臨時(shí)保護(hù)膜斷裂而無法進(jìn)行剝離。

上述的臨時(shí)保護(hù)膜有時(shí)通過卷繞在卷芯上，一邊從所得的卷軸體上卷出一邊用于半導(dǎo)體密封成形。

因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種具備可以在不發(fā)生斷裂的情況下容易地從引線框及密封層上剝離的半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜的卷軸體。

用于解決技術(shù)問題的手段

本實(shí)用新型的一個(gè)方面涉及一種卷軸體，其具備卷芯和卷繞在卷芯上的半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜，半導(dǎo)體密封成形用臨時(shí)保護(hù)膜具備支撐膜和設(shè)置在支撐膜的單面或兩面上且含有樹脂的粘接層。在按照粘接層與引線框接觸的方式將上述臨時(shí)保護(hù)膜粘貼在具有芯片焊盤及內(nèi)引線的引線框上時(shí)，粘接層與引線框之間的90度剝離強(qiáng)度可以是在25℃下為5N/m以上。在按照粘接層與引線框接觸的方式將上述臨時(shí)保護(hù)膜粘貼在引線框上，在芯片焊盤的與臨時(shí)保護(hù)膜相反一側(cè)的面上搭載半導(dǎo)體元件，接著對半導(dǎo)體元件、引線框及上述臨時(shí)保護(hù)膜進(jìn)行加熱，然后形成在與粘接層接觸的同時(shí)將半導(dǎo)體元件密封的密封層時(shí)，粘接層與引線框及密封層之間的90度剝離強(qiáng)度可以是在180℃下為600N/m以下。