[其他]卷軸體、包裝體及捆包物有效
| 申請號： | 201990000192.2 | 申請日： | 2019-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN210956601U | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發明（設計）人： | 黑田孝博;名兒耶友宏;友利直己 | 申請（專利權）人： | 日立化成株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;C09J7/22;C09J7/25;C09J7/30;C09J7/35;C09J11/06;C09J201/02;H01L23/50 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 白麗 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 卷軸 包裝 捆包物 | ||
1.一種卷軸體，
其具備卷芯和卷繞在所述卷芯上的半導體密封成形用臨時保護膜，
所述半導體密封成形用臨時保護膜具備支撐膜和設置在所述支撐膜的單面或兩面上且含有樹脂的粘接層，
在按照所述粘接層與引線框接觸的方式將所述臨時保護膜粘貼在具有芯片焊盤及內引線的所述引線框上時，所述粘接層與所述引線框之間的90度剝離強度在25℃下為5N/m以上，
在按照所述粘接層與所述引線框接觸的方式將所述臨時保護膜粘貼在所述引線框上，在所述芯片焊盤的與所述臨時保護膜相反一側的面上搭載半導體元件，接著對所述半導體元件、所述引線框及所述臨時保護膜進行加熱，然后形成在與所述粘接層接觸的同時將所述半導體元件密封的密封層時，所述粘接層與所述引線框及所述密封層之間的90度剝離強度在180℃下為600N/m以下。
2.根據權利要求1所述的卷軸體，其中，
所述粘接層進一步含有硅烷偶聯劑，
所述硅烷偶聯劑的含量相對于所述樹脂的總量超過5質量％且為35質量％以下。
3.一種卷軸體，
其具備卷芯和卷繞在所述卷芯上的半導體密封成形用臨時保護膜，
所述半導體密封成形用臨時保護膜具備支撐膜和設置在所述支撐膜的單面或兩面上且含有樹脂和硅烷偶聯劑的粘接層，
所述硅烷偶聯劑的含量相對于所述樹脂的總量超過5質量％且為35質量％以下。
4.根據權利要求2或3所述的卷軸體，其中，所述硅烷偶聯劑由下述式(I)表示，
式中，R1、R2及R3各自獨立地表示碳數為1～3的烷氧基、碳數為1～6的烷基或碳數為6～12的芳基，X由下述式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)或(IIe)表示，
這些化學式中，R4、R5及R6各自獨立地表示碳數為1～6的烷基、碳數為6～12的芳基或氫原子，*表示與碳原子的鍵合部位。
5.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述粘接層的玻璃化轉變溫度為100～300℃。
6.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述樹脂是具有酰胺基、酯基、酰亞胺基、醚基或磺基的熱塑性樹脂。
7.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述粘接層的200℃下的彈性模量為1MPa以上。
8.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述粘接層的厚度與所述支撐膜的厚度之比為0.5以下。
9.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述粘接層的厚度為1～20μm。
10.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述支撐膜是選自芳香族聚酰亞胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亞胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的聚合物的膜。
11.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述支撐膜的玻璃化轉變溫度為200℃以上。
12.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述支撐膜的厚度為5～100μm。
13.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述支撐膜的20～200℃下的線膨脹系數為3.0×10-5以下。
14.根據權利要求1～3中任一項所述的卷軸體，其中，所述支撐膜在200℃下加熱60分鐘時的收縮率為0.15％以下。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
