基板處理裝置(1)的載置單元(40)設置于處理區塊(20)與分度器區塊(10)之間的連接部。載置單元(40)保持從分度器區塊(10)朝中央機械手(22)傳遞的未處理的基板(9)。此外，載置單元(40)保持從中央機械手(22)朝分度器區塊(10)傳遞的處理完畢的基板(9)。第一阻隔部(51)可阻隔氧濃度比大氣低的低氧氛圍的分度器區塊(10)以及載置單元(40)與搬運路徑(23)之間的氣體的移動，該搬運路徑(23)在處理區塊(20)中連接處理單元(21)以及載置單元(40)。由此，能抑制基板處理裝置(1)中的基板(9)的氧化。

技術領域

本發明涉及一種用以處理基板的基板處理裝置以及基板處理方法。

背景技術

以往，在用以處理基板的基板處理裝置中，收容于環圈(hoop)等承載器(carrier)的基板被分度器機械手(indexer robot)搬出且載置于載置單元，并被中央機械手(centerrobot)從載置單元搬運至處理單元且被施予各種處理。

例如，在日本特許第6280837號公報(文獻1)以及日本特許第5626249號公報(文獻2)的基板處理系統中，在搬入搬出站的基板搬運機構與處理站的基板搬運機構之間設置有授受部。由于授受部的兩側的開口部未具有關閉機構而始終被開放，因此兩個站的內部空間經由授受部而始終連通。該基板處理系統設置于無塵室(cleaning room)，并經由FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)對兩個站的內部空間供給無塵室內的空氣。

在文獻1的基板處理系統中，將搬入搬出站的內部空間的壓力設定成比處理站的內部空間的壓力高，由此形成從搬入搬出站經由授受部朝向處理站的空氣的流動。由此，抑制在處理單元中所產生的藥品氛圍等進入至搬入搬出站。此外，在授受部中，為了降低濕度對于晶片上的器件(device)的影響，在授受部的搬入搬出站側的開口部設置有用以供給干燥氣體的氣體噴出部。

另一方面，在日本特許第4669257號公報(文獻3)的基板處理裝置中，負載鎖定室(load lock chamber)、配置有搬運機械手的搬運室以及用以對晶片進行處理的處理室通過真空泵(vacuum pump)而被真空排氣。此外，在該基板處理裝置中，可對負載鎖定室、搬運室以及處理室供給氮氣。通過供給氮氣來抑制來自真空泵的油的逆擴散等污染基板。

此外，日本特許第3737604號公報(文獻4)的基板處理裝置具備：接受室，載置有已收容有多個未處理的基板的承載器；搬運室，配置有搬運機械手；多個處理室；以及傳遞室，載置有已收容有多個處理完畢的基板。在該基板處理裝置中，對各個室供給非活性氣體，將各個室內的壓力設定成傳遞室的壓力搬運室的壓力多個處理室的壓力。

然而，在文獻1的裝置中，雖然形成有從搬入搬出站朝向處理站的空氣的流動，但是會有在處理單元中所產生的化學氛圍因擴散而經由處理站進入至搬入搬出站的疑慮。此外，由于載置于授受部等的晶片在較長的時間中與空氣接觸，因此會有晶片表面氧化的疑慮。

此外，在文獻3的裝置中，雖然可將負載鎖定室、搬運室以及處理室設定成低氧氛圍，但是由于負載鎖定室、搬運室以及處理室全部皆需要具有可對應真空氛圍的構造，因此從裝置的復雜化以及大型化等觀點而言不考慮將該裝置的構造應用于不進行真空下的處理的基板處理裝置。

在文獻4的裝置中，傳遞室的壓力搬運室的壓力，由此在開放傳遞室與搬運室之間的擋門時形成從傳遞室朝向搬運室的非活性氣體的流動，但是會有在處理室中所產生的化學氛圍因擴散而經由搬運室進入至傳遞室內的疑慮。

發明內容

本發明著眼于一種用以處理基板的基板處理裝置，目的在于通過將較長時間載置有基板的空間設定成低氧氛圍來抑制基板的氧化。