[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理裝置以及基板處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980051209.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112514045A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 藤木博幸;墨周武;伊東哲生;辻智;田鎖學(xué);后藤裕典 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/677 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/677;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用以處理基板,并具備:
處理區(qū)塊,配置有用以處理基板的處理單元以及用以進(jìn)行基板相對(duì)于所述處理單元的搬入以及搬出的第一搬運(yùn)機(jī)械手;
分度器區(qū)塊,配置有用以進(jìn)行基板相對(duì)于可收容多個(gè)基板的承載器的搬入以及搬出的第二搬運(yùn)機(jī)械手;
載置單元,設(shè)置于所述處理區(qū)塊與所述分度器區(qū)塊之間的連接部,用以保持從所述第二搬運(yùn)機(jī)械手朝所述第一搬運(yùn)機(jī)械手傳遞的未處理的基板以及從所述第一搬運(yùn)機(jī)械手朝所述第二搬運(yùn)機(jī)械手傳遞的處理完畢的基板;以及
第一阻隔部,可阻隔氧濃度比大氣低的低氧氛圍的所述分度器區(qū)塊以及所述載置單元與搬運(yùn)路徑之間的氣體的移動(dòng),所述搬運(yùn)路徑在所述處理區(qū)塊中連接所述處理單元與所述載置單元。
2.如權(quán)利要求1所記載的基板處理裝置,其中,
所述第一阻隔部具備:門(mén)體,用以將連接所述搬運(yùn)路徑的內(nèi)部空間與所述載置單元的內(nèi)部空間的開(kāi)口予以開(kāi)閉。
3.如權(quán)利要求1或2所記載的基板處理裝置,其中,
還具備:第一氣體供給部,對(duì)所述載置單元供給非活性氣體,由此將所述載置單元設(shè)定成低氧氛圍。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的基板處理裝置,其中,
還具備:第二阻隔部,可阻隔所述分度器區(qū)塊與所述載置單元之間的氣體的移動(dòng)。
5.如權(quán)利要求4所記載的基板處理裝置,其中,
所述第二阻隔部具備:門(mén)體,用以將連接所述分度器區(qū)塊的內(nèi)部空間與所述載置單元的內(nèi)部空間的開(kāi)口予以開(kāi)閉。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所記載的基板處理裝置,其中,
還具備:第二氣體供給部,對(duì)所述分度器區(qū)塊供給非活性氣體,由此將所述分度器區(qū)塊設(shè)定成低氧氛圍。
7.如權(quán)利要求1或2所記載的基板處理裝置,其中,
還具備:
第二阻隔部,可阻隔所述分度器區(qū)塊與所述載置單元之間的氣體的移動(dòng);
第一氣體供給部,對(duì)所述載置單元供給非活性氣體,由此將所述載置單元設(shè)定成低氧氛圍;
第二氣體供給部,對(duì)所述分度器區(qū)塊供給非活性氣體,由此將所述分度器區(qū)塊設(shè)定成低氧氛圍;以及
控制部,分別單獨(dú)地控制從所述第一氣體供給部供給非活性氣體以及從所述第二氣體供給部供給非活性氣體。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所記載的基板處理裝置,其中,
所述搬運(yùn)路徑的氧濃度比所述分度器區(qū)塊的氧濃度以及所述載置單元的氧濃度高。
9.如權(quán)利要求8所記載的基板處理裝置,其中,
所述搬運(yùn)路徑為大氣氛圍。
10.如權(quán)利要求1所記載的基板處理裝置,其中,
還具備:
第一氣體供給部,對(duì)所述載置單元供給非活性氣體,由此將所述載置單元設(shè)定成低氧氛圍;
第二阻隔部,可阻隔所述分度器區(qū)塊與所述載置單元之間的氣體的移動(dòng);以及
控制部,控制所述第一搬運(yùn)機(jī)械手、所述第二搬運(yùn)機(jī)械手、所述第一阻隔部、所述第一氣體供給部以及所述第二阻隔部;
所述第一阻隔部具備:第一門(mén)體,用以將連接所述搬運(yùn)路徑的內(nèi)部空間與所述載置單元的內(nèi)部空間的第一開(kāi)口予以開(kāi)閉;
所述第二阻隔部具備:第二門(mén)體,用以將連接所述分度器區(qū)塊的內(nèi)部空間與所述載置單元的內(nèi)部空間的第二開(kāi)口予以開(kāi)閉;
通過(guò)所述控制部的控制,在通過(guò)所述第一門(mén)體以及所述第二門(mén)體關(guān)閉所述第一開(kāi)口以及所述第二開(kāi)口的狀態(tài)下將所述載置單元設(shè)定成低氧氛圍后,開(kāi)放所述第二開(kāi)口,通過(guò)所述第二搬運(yùn)機(jī)械手將未處理的基板經(jīng)由所述第二開(kāi)口搬入至所述載置單元,通過(guò)所述第二門(mén)體關(guān)閉所述第二開(kāi)口后,開(kāi)放所述第一開(kāi)口,通過(guò)所述第一搬運(yùn)機(jī)械手將所述未處理的基板經(jīng)由所述第一開(kāi)口從所述載置單元搬出。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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