[發(fā)明專利]一種巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980003336.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111095516B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊然翔;許時(shí)淵;伍凱義;鐘光韋;沈佳輝;江仁杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 巨量 轉(zhuǎn)移 裝置 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法,所述巨量轉(zhuǎn)移裝置上設(shè)置有多個(gè)通道,各個(gè)通道的第一開口設(shè)置在所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的第一面,各個(gè)通道的第二開口設(shè)置在所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的第二面,且各個(gè)通道之間的距離沿第一面到第二面的方向逐漸增大,本發(fā)明提供的巨量轉(zhuǎn)移方法通過激光照射的方式使第一基板上的Micro?LED掉落并通過第一開口進(jìn)入巨量轉(zhuǎn)移裝置的通道,從通道的第二開口落入第二基板上的Micro?LED待安裝位置,實(shí)現(xiàn)了將Micro?LED從第一基板上轉(zhuǎn)移至第二基板上,且在第二基板上的間距大于在第一基板上的間距,巨量轉(zhuǎn)移過程簡(jiǎn)單、成本低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及Micro-LED加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
Micro-LED(微LED)技術(shù)是新一代的顯示技術(shù),其中巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是Micro-LED制造中即為重要的部分,Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是將成千上萬顆MICRO-LED從載體基板上轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上的技術(shù),巨量轉(zhuǎn)移所要解決的首要問題在于:將Micro-LED之間的間距由載體基板上的間距改為目標(biāo)基板上的間距。而現(xiàn)有技術(shù)中用于巨量轉(zhuǎn)移的方法,如操作復(fù)雜、成本高,不利于Micro-LED技術(shù)的發(fā)展。
因此,現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種巨量轉(zhuǎn)移裝置以及巨量轉(zhuǎn)移方法,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中巨量轉(zhuǎn)移方法操作復(fù)雜的問題。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明的第一方面,提供一種巨量轉(zhuǎn)移裝置,其中,所述巨量轉(zhuǎn)移裝置上設(shè)置有多個(gè)兩端開口的通道,每個(gè)所述通道包括第一開口和第二開口,各個(gè)所述通道的第一開口設(shè)置在所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的第一面上,各個(gè)所述通道的第二開口設(shè)置在相對(duì)于所述第一面的第二面上,各個(gè)所述通道之間的距離均沿所述第一面到所述第二面的方向逐漸增大。
所述的巨量轉(zhuǎn)移裝置,其中,所述通道為直線。
本發(fā)明的第二方面,提供一種基于如上所述的巨量轉(zhuǎn)移裝置的巨量轉(zhuǎn)移方法,用于將第一基板上的Micro-LED轉(zhuǎn)移至第二基板上,其中,所述巨量轉(zhuǎn)移方法包括:
將帶有多個(gè)Micro-LED的第一基板放置在所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的第一面的上方,使所述第一基板上的各個(gè)Micro-LED分別與所述巨量轉(zhuǎn)移裝置上的各個(gè)第一開口相對(duì)應(yīng);
將第二基板放置在所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的第二面的下方,使所述第二基板上的各個(gè)Micro-LED待安裝位置與所述巨量轉(zhuǎn)移裝置上的各個(gè)第二開口相對(duì)應(yīng);
使用激光照射所述第一基板遠(yuǎn)離所述Micro-LED的一側(cè),使得所述第一基板上的多個(gè)所述Micro-LED脫離并分別從所述第一開口進(jìn)入所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的通道,經(jīng)過所述第二開口落入所述第二基板上的所述Micro-LED待安裝位置;
其中,所述第一基板為透明基板。
所述的巨量轉(zhuǎn)移方法,其中,所述第二基板上設(shè)置有連接材料,所述Micro-LED落入所述第二基板上的Micro-LED待安裝位置后包括:
所述Micro-LED通過所述連接材料固定在所述第二基板上。
所述的巨量轉(zhuǎn)移方法,其中,所述連接材料為焊料。
所述的巨量轉(zhuǎn)移方法,其中,所述Micro-LED與所述第一基板連接的部分的材質(zhì)為GaN。
所述的巨量轉(zhuǎn)移方法,其中,所述第一基板為所述Micro-LED的生長(zhǎng)基板。
所述的巨量轉(zhuǎn)移方法,其中,所述Micro-LED通過光解膠與所述第一基板連接。
所述的巨量轉(zhuǎn)移方法,其中,所述將第一基板放置在所述巨量轉(zhuǎn)移裝置的第一面的上方之前包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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