[發明專利]一種巨量轉移裝置及巨量轉移方法有效

申請號：	201980003336.4	申請日：	2019-12-17
公開（公告）號：	CN111095516B	公開（公告）日：	2021-08-24
發明（設計）人：	楊然翔;許時淵;伍凱義;鐘光韋;沈佳輝;江仁杰	申請（專利權）人：	重慶康佳光電技術研究院有限公司
主分類號：	H01L21/67	分類號：	H01L21/67;H01L27/15
代理公司：	深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268	代理人：	王永文
地址：	402760 重慶市璧***	國省代碼：	重慶;50
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種巨量轉移裝置方法
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【權利要求書】：

1.一種巨量轉移裝置，其特征在于，所述巨量轉移裝置用于將第一基板上的Micro-LED轉移至第二基板上，所述巨量轉移裝置上設置有多個兩端開口的通道，每個所述通道包括第一開口和第二開口，各個所述通道的第一開口設置在所述巨量轉移裝置的第一面上，各個所述通道的第二開口設置在相對于所述第一面的第二面上，各個所述通道之間的距離均沿所述第一面到所述第二面的方向逐漸增大，所述第一基板上的各個Micro-LED分別與各個所述第一開口相對應，所述第二基板上的各個Micro-LED待安裝位置分別與各個所述第二開口相對應。

2.根據權利要求1所述的巨量轉移裝置，其特征在于，所述通道為直線。

3.一種基于如權利要求1或2所述的巨量轉移裝置的巨量轉移方法，用于將第一基板上的Micro-LED轉移至第二基板上，其特征在于，所述巨量轉移方法包括：

將帶有多個Micro-LED的第一基板放置在所述巨量轉移裝置的第一面的上方，使所述第一基板上的各個Micro-LED分別與所述巨量轉移裝置上的各個第一開口相對應；

將第二基板放置在所述巨量轉移裝置的第二面的下方，使所述第二基板上的各個Micro-LED待安裝位置與所述巨量轉移裝置上的各個第二開口相對應；

使用激光照射所述第一基板遠離所述Micro-LED的一側，使得所述第一基板上的多個所述Micro-LED脫離并分別從所述第一開口進入所述巨量轉移裝置的通道，經過所述第二開口落入所述第二基板上的所述Micro-LED待安裝位置；

其中，所述第一基板為透明基板。

4.根據權利要求3所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述第二基板上設置有連接材料，所述Micro-LED落入所述第二基板上的Micro-LED待安裝位置后包括：

所述Micro-LED通過所述連接材料固定在所述第二基板上。

5.根據權利要求4所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述連接材料為焊料。

6.根據權利要求3所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述Micro-LED的與所述第一基板的連接部分的材質為GaN。

7.根據權利要求6所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述第一基板為所述Micro-LED的生長基板。

8.根據權利要求3所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述Micro-LED通過光解膠與所述第一基板連接。