本發明公開了一種單晶爐的二次加料裝置及加料方法,涉及單晶棒生產技術領域，包括化料爐和至少一個單晶爐，多個所述單晶爐均與化料爐之間連接有進料筒；所述化料爐內安裝有具有傾倒功能的支撐架和安裝在支撐架上的化料坩堝；所述化料室內還安裝有加熱器。本發明使單晶爐內在制作單晶硅棒的同時能對硅料進行熔融，使單晶爐內的硅棒在制作完成后，向單晶爐內補充的硅料即為熔融狀，使單晶爐完成加料后能馬上進行單晶硅棒的制作，使單晶硅棒的生產效率大大提高。

技術領域

本發明涉及單晶棒生產技術領域，具體而言，涉及一種單晶爐的二次加料裝置及加料方法。

背景技術

單晶爐是生產單晶硅棒的專業設備。傳統單晶硅棒的生產是將多晶硅原料一次性裝入石英坩堝內熔化，多晶硅原料熔料后，采用直拉法拉制單晶硅棒，在此生產過程中，單晶硅棒的質量受最大投料量限制，而最大投料量是由石英坩堝的尺寸決定的。

現有技術中關于采用二次加料裝置進行二次加料的方法也已有相關專利公開，例如申請公布號為CN103397389A的專利申請中，公開了一種單晶硅棒的生產方法，步驟S10：向坩堝內投入第一批硅料，加熱坩堝以熔化第一批硅料，然后使熔化后的第一批硅料結晶以得到第一根單晶棒，并且取出第一根單晶棒；步驟S20：向坩堝內投入第二批硅料，并加熱坩堝以熔化第二批硅料，然后使熔化后的第二批硅料結晶以得到第二根單晶棒。此方案中，雖能實現對單晶爐二次加料，但該方案中的二次加料為固體料，因此，當二次添加的多晶硅原料進入到單晶爐內后，還需對多晶硅原料進行熔化，使單晶硅生長時間長，使單晶硅棒的生產效率大大降低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種單晶爐的二次加料裝置及加料方法，使單晶爐內在制作單晶硅棒的同時能對硅料進行熔融，使單晶爐內的硅棒在制作完成后，向單晶爐內補充的硅料即為熔融狀，使單晶爐完成加料后能馬上進行單晶硅棒的制作，使單晶硅棒的生產效率大大提高。

為實現本發明目的，采用的技術方案為：一種單晶爐的二次加料裝置，包括化料爐和至少一個單晶爐，多個所述單晶爐均與化料爐之間連接有進料筒；所述化料爐內安裝有具有傾倒功能的支撐架和安裝在支撐架上的化料坩堝；所述化料室內還安裝有加熱器。

進一步的，所述支撐架包括轉動安裝在化料坩堝上的上安裝環和下安裝環；所述化料爐內還對稱安裝在化料坩堝兩側的支撐柱，且兩個支撐柱的上端均與上安裝環鉸接；所述化料爐內還鉸接安裝有傾斜的第一伸縮桿，第一伸縮桿與支撐柱之間的夾角為90°。

進一步的，所述化料爐內安裝有可升降的驅動電機，且驅動電機的輸出軸上還安裝有卡緊化料爐的卡爪。

進一步的，所述卡爪包括固定安裝在驅動電機輸出軸上的安裝盤，且安裝盤上固定安裝有多個限位柱；所述化料爐的底面還開設有分別與多個限位柱一一對應的限位槽。

進一步的，所述化料爐內還安裝有第二伸縮桿，第二伸縮桿的上端還安裝有安裝臺，且驅動電機安裝在安裝臺上。

進一步的，所述單晶爐內還安裝有可升降的結晶坩堝。

進一步的，所述單晶爐內還安裝有多個第三伸縮桿，且結晶坩堝固定安裝在多個第三伸縮桿的上方。

進一步的，所述進料筒的出口端垂直設置。

進一步的，所述進料筒的進口端呈漏斗狀。

進一步的，所述進料筒包括由內至外依次設置的內層、外層和保溫層。

進一步的，所述進料筒上還安裝有隔離閥。

進一步的，所述化料爐上還具有固體加料器。

進一步的，所述化料爐上還具有進氣口、出氣口和抽真空口。

進一步的，所述加熱器為電加熱線圈，且電加熱線圈套設在化料坩堝外壁上。