[發(fā)明專利]一種單晶爐的二次加料裝置及加料方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911283075.4 | 申請日： | 2019-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN110952138A | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 曹玲玲;楊明財;郭梅珍;史正斌;任長春;鮑守珍;王茜;蔡延國;宗冰 | 申請（專利權）人： | 亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐豐 |
| 地址： | 810007 青海*** | 國省代碼： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶爐 二次 加料 裝置 方法 | ||
1.一種單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，包括化料爐(1)和至少一個單晶爐(2)，多個所述單晶爐(2)均與化料爐(1)之間連接有進料筒(3)；所述化料爐(1)內(nèi)安裝有具有傾倒功能的支撐架(4)和安裝在支撐架(4)上的化料坩堝(5)；所述化料室內(nèi)還安裝有加熱器(6)。
2.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述支撐架(4)包括轉(zhuǎn)動安裝在化料坩堝(5)上的上安裝環(huán)(41)和下安裝環(huán)(42)；所述化料爐(1)內(nèi)還對稱安裝在化料坩堝(5)兩側(cè)的支撐柱(43)，且兩個支撐柱(43)的上端均與上安裝環(huán)(41)鉸接；所述化料爐(1)內(nèi)還鉸接安裝有傾斜的第一伸縮桿(44)，第一伸縮桿(44)與支撐柱(43)之間的夾角為90°。
3.根據(jù)權利要求2所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述化料爐(1)內(nèi)安裝有可升降的驅(qū)動電機(45)，且驅(qū)動電機(45)的輸出軸上還安裝有卡緊化料爐(1)的卡爪(46)。
4.根據(jù)權利要求3所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述卡爪(46)包括固定安裝在驅(qū)動電機(45)輸出軸上的安裝盤(461)，且安裝盤(461)上固定安裝有多個限位柱(462)；所述化料爐(1)的底面還開設有分別與多個限位柱(462)一一對應的限位槽(7)。
5.根據(jù)權利要求2或3或4所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述化料爐(1)內(nèi)還安裝有第二伸縮桿(47)，第二伸縮桿(47)的上端還安裝有安裝臺(48)，且驅(qū)動電機(45)安裝在安裝臺(48)上。
6.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述單晶爐(2)內(nèi)還安裝有可升降的結(jié)晶坩堝(8)；所述單晶爐(2)內(nèi)還安裝有多個第三伸縮桿(9)，且結(jié)晶坩堝(8)固定安裝在多個第三伸縮桿(9)的上方。
7.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述進料筒(3)的出口端垂直設置，且進料筒(3)的進口端呈漏斗狀。
8.根據(jù)權利要求1所述的單晶爐的二次加料裝置，其特征在于，所述進料筒(3)包括由內(nèi)至外依次設置的內(nèi)層(31)、外層(32)和保溫層(33)；所述進料筒(3)上還安裝有隔離閥(10)；所述化料爐(1)上還具有固體加料器(11)，且化料爐(1)上還具有進氣口(12)、出氣口(13)和抽真空口(14)。
9.一種單晶爐的二次加料方法包括如下步驟：
S1：在單晶爐(2)內(nèi)拉制單晶硅棒時，向化料坩堝(5)內(nèi)投入固相多晶硅原料，加熱器(6)對化料坩堝(5)內(nèi)的固相多晶硅原料加熱，化料坩堝(5)內(nèi)的多晶硅原料熔融；
S2：當單晶爐(2)內(nèi)拉制完成的單晶硅棒取出后，將化料坩堝(5)內(nèi)熔融狀的多晶硅原料倒入到進料筒(3)內(nèi)，熔融狀多晶硅原料沿進料筒(3)進入到單晶爐(2)內(nèi)完成單晶硅棒二次拉制，且在單晶爐(2)內(nèi)拉制單晶硅棒同時，重復步驟S1。
10.根據(jù)權利要求9所述的單晶爐的二次加料方法，其特征在于，所述步驟S2中進料筒(3)出口與結(jié)晶坩堝(8)內(nèi)熔融狀多晶硅原料液面之間的距離為15～50mm。
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