1.一種基于憶阻器陣列的紫外光輻射累積測量電路，其特征在于，包括紫外光接收模塊、憶阻器放大模塊、測量開關S1、憶阻器陣列模塊、憶阻器復位模塊和憶阻器誤差調理模塊；其中：

所述紫外光接收模塊的輸出端連接憶阻器放大模塊的輸入端，憶阻器放大模塊的輸出端連接測量開關S1，測量開關S1的另一端分別連接憶阻器陣列模塊和憶阻器組織復位模塊的輸入端，憶阻器陣列模塊的輸出端與憶阻器復位模塊的輸出端連接；

所述紫外光接收模塊包括偏置電壓V1、保護電阻R1、雪崩二極管APD和紫外偏振片；其中：偏置電壓V1的輸出端連接保護電阻R1，保護電阻R1的另一端連接雪崩二極管APD，紫外偏振片覆在雪崩二極管表面，雪崩二極管的輸出端連接憶阻器放大模塊的輸入端；

所述憶阻器陣列模塊包括n個憶阻器陣列塊，其中n為大于等于2且小于等于8的自然數；每個憶阻器陣列塊都包括m個反向并聯憶阻器和m個正向并聯憶阻器，其中m為大于等于2且小于等于10的自然數；這m個反向并聯憶阻器的非摻雜端都與m個正向并聯憶阻器的非摻雜端連接；第1個憶阻器陣列塊中的m個反向并聯憶阻器的摻雜端均與測量開關S1另一端連接；第n個憶阻器陣列塊中的m個正向憶阻器的摻雜端均接地；每個憶阻器陣列塊中的m個正向憶阻器的摻雜端均與其下一個憶阻器陣列塊中的m個反向并聯憶阻器的摻雜端相連接；

所述憶阻器誤差調理模塊包括運算放大器A2、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電源V3、電源V4、單刀雙擲開關S3、憶阻器Mz1、憶阻器Mz2、電阻R8，以及運算放大器A2正供電電源VSS1和負供電電源VSS2；其中：所述運算放大器A2的反向端與電阻R5和電阻R6連接，電阻R5的另一端與第n個憶阻器陣列塊的m個反向并聯憶阻器非摻雜端、第n個憶阻器陣列塊的m個正向并聯憶阻器非摻雜端連接，電阻R6的另一端與運算放大器A2的輸出端連接；

運算放大器A2的同向端與電阻R4和電阻R7連接，R7的另一端接地，電阻R4的另一端與憶阻器Mz1的非摻雜端和電阻R8連接，憶阻器Mz1的摻雜端與憶阻器Mz2的摻雜端連接，憶阻器Mz2的非摻雜端與開關S3連接，電阻R8的另一端與電源V3正極、電源V4負極連接，電源V3負極、電源V4正極與開關S3另一端連接。