本發(fā)明提供一種拋光墊修整設(shè)備和方法，拋光墊修整設(shè)備包括：第一修整器，所述第一修整器上形成有用于修整拋光墊的第一修整面；第二修整器，所述第二修整器上形成有用于修整拋光墊的第二修整面，所述第一修整面的面積和第二修整面的面積不同。通過面積不同的第一修整面和第二修整面來修整拋光墊上的不同區(qū)域，能夠?qū)伖鈮|進(jìn)行分區(qū)域修整，易于實(shí)現(xiàn)對拋光墊的精準(zhǔn)修整，修整效率高，提高修整效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶圓拋光領(lǐng)域，具體涉及一種拋光墊修整設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

硅片在拋光過程中，通過與拋光墊表面接觸來機(jī)械磨損硅片表面，從而提高硅片的平整度。在精拋過程中，拋光墊表面的形貌對硅片表面平坦度有重要影響，通常不規(guī)則硅片表面的形貌為凸起或者凹下，若拋光墊中央凸起，則研磨后硅片正面面會呈凹字形；若拋光墊邊緣凸起，則硅片正面同樣呈現(xiàn)凸形。目前使用1個拋光墊曲線修整拋光墊，首先對特定區(qū)域修整較難，不能根據(jù)實(shí)際情況分區(qū)域修整，同時修整效率慢，修整時間過長，若拋光墊表面不規(guī)則，單個修整器需要花費(fèi)長時間來修整拋光墊，且修整參數(shù)設(shè)置繁瑣，工藝復(fù)雜，修整效果不好。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種拋光墊修整設(shè)備和方法，用以解決現(xiàn)有拋光墊修整器不易對特定區(qū)域修整，不能分區(qū)域修整，修整效率慢，工藝復(fù)雜，修整效果不好的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的拋光墊修整設(shè)備，包括：

第一修整器，所述第一修整器上形成有用于修整拋光墊的第一修整面；

第二修整器，所述第二修整器上形成有用于修整拋光墊的第二修整面，所述第一修整面的面積和第二修整面的面積不同。

其中，所述拋光墊修整設(shè)備還包括：

控制結(jié)構(gòu)，用于控制所述第一修整器和所述第二修整器單獨(dú)或同時修整所述拋光墊。

其中，所述控制結(jié)構(gòu)用于控制所述第一修整器和/或所述第二修整器修整所述拋光墊時振動。

其中，所述第一修整面和第二修整面分別為圓形，所述第一修整面的面積小于所述第二修整面的面積。

其中，所述拋光墊修整設(shè)備還包括：

控制結(jié)構(gòu)，用于根據(jù)待修整區(qū)域的位置和/或面積來控制所述第一修整器和/或所述第二修整器來修整所述待修整區(qū)域。

其中，所述控制結(jié)構(gòu)，用于當(dāng)所述拋光墊上的待修整區(qū)域位于所述拋光墊的邊緣時，控制所述第一修整器修整所述待修整區(qū)域；

用于當(dāng)所述拋光墊上的待修整區(qū)域位于所述拋光墊的中央時，控制所述第二修整器修整所述待修整區(qū)域。

其中，所述拋光墊修整設(shè)備還包括：

用于承載所述拋光墊的承載臺，所述承載臺可旋轉(zhuǎn)以帶動所述拋光墊旋轉(zhuǎn)；

漿料供應(yīng)結(jié)構(gòu)，用于向所述拋光墊供應(yīng)漿料。

根據(jù)本發(fā)明第二方面實(shí)施例的拋光墊的修整方法，包括以下步驟：

提供待修整的拋光墊；

用具有第一修整面的第一修整器和/或具有第二修整面的第二修整器修整拋光墊上的待修整區(qū)域，所述第一修整面的面積和第二修整面的面積不同。

其中，用具有第一修整面的第一修整器和/或具有第二修整面的第二修整器修整拋光墊上的待修整區(qū)域，包括：

根據(jù)待修整區(qū)域的位置和/或面積來控制所述第一修整器和/或所述第二修整器來修整所述待修整區(qū)域。

其中，根據(jù)待修整區(qū)域的位置和/或面積來控制所述第一修整器和/或所述第二修整器來修整所述待修整區(qū)域，包括：