本發明公開了一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質結的LED的制備方法，其特征在于，包括在ITO襯底上生長ZnO:Cu/ZnO:Al異質結，將PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al異質結的ZnO:Cu多晶層表面進行熱處理，最后在ZnO:Cu多晶層表面鍍上Ti電極，即得；所述的在ITO襯底上生長ZnO:Cu/ZnO:Al異質結包括先在ITO襯底上生長ZnO:Al多晶層，然后將其放入乙酸鋅和硝酸銅的混合溶液中，在ZnO:Al多晶層表面上生長ZnO:Cu多晶層，最終，ITO襯底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al異質結。本發明經過基于半導體能帶工程的光譜調制，實現了490nm的主發光峰，能提供更為優秀的光生物效應。本發明制備方法過程簡單安全、所用設備和原料價格低廉，適合產業化大規模制備。

技術領域

本發明屬于電子材料及其制備領域，具體涉及一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質結的LED及其制備方法。

背景技術

LED即半導體發光二極管，LED具有節能、環保、壽命長、體積小等特點，可以廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。半導體ZnO納米線被成功組裝成不同類型的納米器件，如納米線場效應晶體管、納米線激光器、納米線傳感器和納米線LED。然而，現有的部分器件發光性能不穩定且工作電壓較高?；赯nO納米棒的紫外LED的研究并不是很成功，其電致發光基本上處于可見光波段。商用的氮化鎵白光LED的主發光峰位于450nm處，對人體有益的光生物效應價值很有限。除了產生視覺紫外，還會影響生物的生理機能，如干擾人的體溫、血壓、心率、腦電波或是導致困倦、焦躁甚至抑郁。

發明內容

針對現有制備技術的缺陷和不足，本發明提供一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質結的LED及其制備方法，解決現階段商用的氮化鎵白光LED的主發光峰位于450nm處，對人體有益的光生物效應價值很有限的技術問題。

為解決上述問題，本發明采取的技術方案為：

一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質結的LED的制備方法，包括在ITO襯底上生長ZnO:Cu/ZnO:Al異質結，將PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al異質結的ZnO:Cu多晶層表面進行熱處理，最后在ZnO:Cu多晶層表面鍍上Ti電極，即得；

所述的在ITO襯底上生長ZnO:Cu/ZnO:Al異質結包括先在ITO襯底上生長ZnO:Al多晶層，然后將其放入乙酸鋅和硝酸銅的混合溶液中，在ZnO:Al多晶層表面上生長ZnO:Cu多晶層，最終，ITO襯底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al異質結。

進一步地，所述的ZnO:Al多晶層中ZnO與Al的摩爾比為(95～100):(2～5)。

進一步地，所述的ZnO:Cu多晶層中ZnO與Cu的摩爾比為(92～98):(4～6)。

進一步地，所述的PMOT和PPV的混合溶液中PMOT與PPV的質量比為(30～40):(60～64)。

進一步地，所述的在ITO襯底上生長ZnO:Cu/ZnO:Al異質結，具體包括：

首先將ITO襯底放入磁控濺射真空室內，采用鋅靶和鋁靶，通入氧氣和氬氣，控制ITO襯底升溫至300℃后，在110W功率下進行共濺射30min，然后將其放入乙酸鋅和硝酸銅的混合溶液中，在ZnO:Al多晶層表面上生長ZnO:Cu多晶層，最終，ITO襯底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al異質結，所述的ZnO:Al多晶層中ZnO與Al的摩爾比為97:3，所述的ZnO:Cu多晶層中ZnO與Cu的摩爾比為95:5。

進一步地，所述的乙酸鋅的濃度為0.04mol/L，硝酸銅濃度為0.005mol/L。