[發(fā)明專(zhuān)利]一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910937846.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-09-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110783472B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 段理;魏星;郭婷婷;王昭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 長(zhǎng)安大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L51/50 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216 | 代理人： | 孫雅靜 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 pmot ppv zno cu al 異質(zhì)結(jié) led 及其 制備 方法 | ||
1.一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，包括在ITO襯底上生長(zhǎng)ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)，將PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)的ZnO:Cu多晶層表面進(jìn)行熱處理，最后在具有PMOT:PPV膜層的ZnO:Cu多晶層表面鍍上Ti電極，即得；
所述的在ITO襯底上生長(zhǎng)ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)包括先在ITO襯底上生長(zhǎng)ZnO:Al多晶層，然后將其放入乙酸鋅和硝酸銅的混合溶液中，在ZnO:Al多晶層表面上生長(zhǎng)ZnO:Cu多晶層，最終，ITO襯底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，所述的ZnO:Al多晶層中ZnO與Al的摩爾比為(95～100):(2～5)。
3.如權(quán)利要求1所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，所述的ZnO:Cu多晶層中ZnO與Cu的摩爾比為(92～98):(4～6)。
4.如權(quán)利要求1所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，所述的PMOT和PPV的混合溶液中PMOT與PPV的質(zhì)量比為(30～40):(60～64)。
5.如權(quán)利要求1所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，所述的在ITO襯底上生長(zhǎng)ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)，具體包括：
首先將ITO襯底放入磁控濺射真空室內(nèi)，采用鋅靶和鋁靶，通入氧氣和氬氣，控制ITO襯底升溫至300℃后，在110W功率下進(jìn)行共濺射30min，然后將其放入乙酸鋅和硝酸銅的混合溶液中，在ZnO:Al多晶層表面上生長(zhǎng)ZnO:Cu多晶層，最終，ITO襯底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)，所述的ZnO:Al多晶層中ZnO與Al的摩爾比為97:3，所述的ZnO:Cu多晶層中ZnO與Cu的摩爾比為95:5。
6.如權(quán)利要求1所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，所述的乙酸鋅的濃度為0.04mol/L，硝酸銅濃度為0.005mol/L。
7.如權(quán)利要求1所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，將PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)的ZnO:Cu多晶層表面之前還包括對(duì)ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)進(jìn)行等離子體處理。
8.如權(quán)利要求7所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，所述的等離子體處理為先在20pa氧氣和20pa氦氣的環(huán)境中，用功率50瓦的等離子產(chǎn)生器對(duì)ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)進(jìn)行等離子體處理2h，然后在50pa氫氣和20pa氦氣的環(huán)境中，用功率50瓦的等離子產(chǎn)生器對(duì)ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)進(jìn)行等離子體處理2h。
9.如權(quán)利要求7所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法，其特征在于，將PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al同質(zhì)結(jié)的ZnO:Cu多晶層表面后在80℃下烘干30min。
10.一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED，其特征在于，所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED采用權(quán)利要求1～9任一所述的含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED的制備方法制得。
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