[發明專利]凸塊結構和凸塊結構制造方法在審
| 申請號: | 201910825779.3 | 申請日: | 2019-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN110970389A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 李燦浩;李仁榮;裵鎮國;鄭顯秀 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 制造 方法 | ||
1.一種凸塊結構,所述凸塊結構包括:
焊盤;以及
凸塊,所述凸塊位于所述焊盤的頂表面上,所述凸塊包括上凸塊部分和下凸塊部分,所述下凸塊部分包括與所述焊盤的所述頂表面接觸的基座部分和從所述基座部分向上延伸的柱狀部分,所述基座部分的至少一部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的平面上的截面面積大于所述柱狀部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積。
2.根據權利要求1所述的凸塊結構,其中,所述基座部分和所述柱狀部分包括相同的材料。
3.根據權利要求1所述的凸塊結構,其中,所述基座部分的所述至少一部分的所述截面面積小于所述焊盤在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積。
4.根據權利要求1所述的凸塊結構,其中,所述上凸塊部分包括焊料,并且所述下凸塊部分包括銅。
5.根據權利要求1所述的凸塊結構,其中,所述基座部分沿所述第一方向的截面面積沿與所述焊盤的所述頂表面垂直的方向是恒定的。
6.根據權利要求1所述的凸塊結構,其中,所述基座部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積隨著從所述焊盤接近所述柱狀部分而減小。
7.根據權利要求1所述的凸塊結構,其中,所述基座部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積隨著從所述焊盤接近所述柱狀部分而增大。
8.一種凸塊結構,所述凸塊結構包括:
焊盤;以及
凸塊,所述凸塊位于所述焊盤的頂表面上,所述凸塊包括與所述焊盤接觸的基座部分和從所述基座部分向上延伸的主體部分,所述基座部分的至少一部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的平面上的截面面積大于所述主體部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積。
9.根據權利要求8所述的凸塊結構,其中,所述基座部分和所述主體部分包括相同的材料。
10.根據權利要求8所述的凸塊結構,其中,所述凸塊包括焊料。
11.根據權利要求8所述的凸塊結構,其中,所述基座部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積沿與所述焊盤的所述頂表面垂直的方向是恒定的。
12.根據權利要求8所述的凸塊結構,其中,所述基座部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積隨著從所述焊盤接近所述主體部分而減小。
13.根據權利要求8所述的凸塊結構,其中,所述基座部分在與所述焊盤的所述頂表面平行的所述平面上的截面面積隨著從所述焊盤接近所述主體部分而增大。
14.一種凸塊結構制造方法,所述凸塊結構制造方法包括:
準備電子器件,所述電子器件上具有焊盤;
在所述焊盤上形成晶種層;
在所述晶種層上形成光敏層圖案,以暴露所述晶種層的一部分;
去除所述晶種層的暴露的部分,以暴露所述焊盤的一部分;以及
在所述焊盤的暴露的部分上形成凸塊。
15.根據權利要求14所述的凸塊結構制造方法,所述凸塊結構制造方法還包括:
去除所述光敏層圖案;以及
去除所述晶種層的其余部分。
16.根據權利要求15所述的凸塊結構制造方法,其中,去除所述晶種層的其余部分包括執行濕法蝕刻工藝。
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