本發(fā)明提供一種能夠以傾斜成膜為基礎而進行自由度較高的濺射成膜的成膜裝置、成膜系統(tǒng)以及成膜方法。成膜裝置具備：處理腔室；第1濺射粒子釋放部和第2濺射粒子釋放部，其分別具有在處理腔室的處理空間沿著互不相同的傾斜方向釋放濺射粒子的靶；濺射粒子遮蔽板，其具有供濺射粒子穿過的穿過孔；基板支承部，其支承基板；基板移動機構，其使基板直線地移動；以及控制部。控制部以使基板直線地移動的方式進行控制，同時控制來自第1濺射粒子釋放部和第2濺射粒子釋放部的濺射粒子的釋放，從第1濺射粒子釋放部和第2濺射粒子釋放部釋放出來的濺射粒子在穿過孔穿過，并向基板上堆積。

技術領域

本公開涉及一種成膜裝置、成膜系統(tǒng)以及成膜方法。

背景技術

在半導體器件這樣的電子器件的制造中，進行在基板上形成膜的成膜處理。作為成膜處理所使用的成膜裝置，公知有濺射裝置。

在專利文獻1中提出了如下技術作為用于針對基板上的圖案實現(xiàn)使濺射粒子入射方向一致的指向性較高的成膜的技術：使濺射粒子相對于基板傾斜地入射。

專利文獻1所記載的成膜裝置具有：真空容器、基板保持臺，其設置于真空容器內；靶保持件，其保持靶；以及遮蔽組件，其設置于靶保持件與基板保持臺之間，具有開口(穿過孔)。并且，一邊利用移動機構使基板保持臺移動，一邊使從靶釋放出來的濺射粒子在遮蔽組件的開口穿過而使濺射粒子以預定的角度向基板上入射。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-67856號公報

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的問題

本公開提供一種能夠以傾斜成膜為基礎而進行自由度較高的濺射成膜的成膜裝置、成膜系統(tǒng)以及成膜方法。

用于解決問題的方案

本公開的一形態(tài)的成膜裝置具備：處理腔室，其規(guī)定對基板進行成膜處理的處理空間；第1濺射粒子釋放部和第2濺射粒子釋放部，其分別具有在所述處理空間沿著互不相同的傾斜方向釋放濺射粒子的靶；濺射粒子遮蔽板，其具有供從所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部釋放出來的所述濺射粒子穿過的穿過孔；基板支承部，其隔著所述處理空間的所述濺射粒子遮蔽板設置于與所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部相反的一側，該基板支承部用來支承基板；基板移動機構，其使支承于所述基板支承部的基板直線地移動；以及控制部，其控制所述第1濺射粒子釋放部、所述第2濺射粒子釋放部以及所述基板移動機構，所述控制部以利用所述基板移動機構使所述基板直線地移動的方式進行控制，同時控制來自所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部的濺射粒子的釋放，使從所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部釋放出來的所述濺射粒子在所述穿過孔穿過，并向所述基板上堆積。

發(fā)明的效果

根據(jù)本公開，能夠以傾斜成膜為基礎而進行自由度較高的濺射成膜。

附圖說明

圖1是表示一實施方式的成膜裝置的縱剖視圖。

圖2是基于圖1的II-II線的水平剖視圖。

圖3是表示濺射粒子遮蔽板的另一個例子的剖視圖。

圖4A是用于說明使用了一實施方式的成膜裝置的成膜方法的第1例的實施狀態(tài)的示意圖。

圖4B是用于說明使用了一實施方式的成膜裝置的成膜方法的第1例的實施狀態(tài)的示意圖。