[發(fā)明專(zhuān)利]成膜裝置、成膜系統(tǒng)以及成膜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910733755.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110819949A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 品田正人;戶(hù)島宏至 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/34 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 系統(tǒng) 以及 方法 | ||
1.一種成膜裝置,其具備:
處理腔室,其規(guī)定對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的處理空間;
第1濺射粒子釋放部和第2濺射粒子釋放部,其分別具有在所述處理空間沿著互不相同的傾斜方向釋放濺射粒子的靶;
濺射粒子遮蔽板,其具有供從所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部釋放出來(lái)的所述濺射粒子穿過(guò)的穿過(guò)孔;
基板支承部,其隔著所述處理空間的所述濺射粒子遮蔽板設(shè)置于與所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部相反的一側(cè),該基板支承部用來(lái)支承基板;
基板移動(dòng)機(jī)構(gòu),其使支承于所述基板支承部的基板直線地移動(dòng);以及
控制部,其控制所述第1濺射粒子釋放部、所述第2濺射粒子釋放部以及所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu),
所述控制部以利用所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板直線地移動(dòng)的方式進(jìn)行控制,同時(shí)控制來(lái)自所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部的濺射粒子的釋放,
從所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部釋放出來(lái)的所述濺射粒子在所述穿過(guò)孔穿過(guò),并向所述基板上堆積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置還具有向所述處理腔室內(nèi)導(dǎo)入濺射氣體的氣體導(dǎo)入部,
所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部分別具有:靶保持件,其保持所述靶;以及電源,其對(duì)所述靶保持件施加電壓,通過(guò)從所述電源向所述靶保持件施加電壓,所述濺射氣體離解而形成的離子與所述靶碰撞,濺射粒子被釋放。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置,其中,
所述濺射粒子遮蔽板具有:第1穿過(guò)孔,其使從所述第1濺射粒子釋放部釋放出來(lái)的濺射粒子穿過(guò);第2穿過(guò)孔,其使從所述第2濺射粒子釋放部釋放出來(lái)的濺射粒子穿過(guò);第1鰭狀件,其設(shè)置于所述第1穿過(guò)孔的周?chē)灶A(yù)定角度引導(dǎo)濺射粒子;以及第2鰭狀件,其設(shè)置于所述第2穿過(guò)孔的周?chē)灶A(yù)定角度引導(dǎo)濺射粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
所述控制部以第1成膜和第2成膜交替地進(jìn)行1次以上的方式進(jìn)行控制,在該第1成膜中,使濺射粒子從所述第1濺射粒子釋放部釋放而在基板上對(duì)第1膜進(jìn)行成膜,在該第2成膜中,使濺射粒子從所述第2濺射粒子釋放部釋放而在基板上對(duì)第2膜進(jìn)行成膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜裝置,其中,
所述控制部在使濺射粒子從所述第1濺射粒子釋放部釋放的期間內(nèi),所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板向第1方向移動(dòng),在使濺射粒子從所述第2濺射粒子釋放部釋放的期間內(nèi),所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板向作為與所述第1方向相反的方向的第2方向移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的成膜裝置,其中,
所述控制部使濺射粒子的釋放輸出在所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4~6中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
從所述第1濺射粒子釋放部釋放并向所述基板入射的濺射粒子的角度與從所述第2濺射粒子釋放部釋放并向所述基板入射的濺射粒子的角度不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求4~7中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
所述第1濺射粒子釋放部的所述靶和所述第2濺射粒子釋放部的所述靶由互不相同的材料形成,在所述基板上形成的所述第1膜和所述第2膜由不同的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
所述控制部以使濺射粒子從所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放部同時(shí)釋放而進(jìn)行成膜的方式進(jìn)行控制。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成膜裝置,其中,
通過(guò)對(duì)所述第1濺射粒子釋放部的所述靶和所述第2濺射粒子釋放部的所述靶的配置和角度、以及從所述第1濺射粒子釋放部和所述第2濺射粒子釋放并向所述基板入射的濺射粒子的角度進(jìn)行調(diào)整,來(lái)進(jìn)行成膜的控制。
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C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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