本公開是關于一種指紋識別方法及裝置，包括：在第一指紋圖像中存在過曝時，確定光敏器件陣列中的過曝區域，過曝區域中包括過曝的光敏器件，第一指紋圖像是光敏器件陣列基于第一曝光周期采集的；針對過曝區域確定第二曝光周期，使得過曝區域中的光敏器件基于第二曝光周期采集的指紋圖像滿足曝光條件，其中，第二曝光周期小于第一曝光周期；控制光敏器件陣列中至少包括過曝區域的第一區域基于第二曝光周期采集指紋圖像，得到第二指紋圖像，并基于第二指紋圖像進行指紋識別。本公開實施例有效提高了調整曝光周期的效率，減少過曝問題的發生，從而有效提高指紋識別的效率。

技術領域

本公開涉及模式識別技術領域，尤其涉及一種指紋識別方法及裝置。

背景技術

相關技術中，光學指紋識別技術通常可以包括：采集手指反射的光線形成指紋圖像，并針對該指紋圖像進行指紋識別。但是，在進行光學指紋識別時，用戶的手指往往無法全部覆蓋用于采集指紋圖像的圖像傳感器的感光面，導致外界的強光射入圖像傳感器的感光面，或者部分光線會穿透手指射入圖像傳感器的感光面，這些情況均會造成圖像傳感器的光敏器件被過度曝光，以致采集到的指紋圖像不全，無法被識別。也就是強光下常見的無法解鎖或識別失敗的問題。

發明內容

為克服相關技術中存在的問題，本公開提供一種指紋識別方法及裝置。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種指紋識別方法，所述方法包括：

在第一指紋圖像中存在過曝時，確定光敏器件陣列中的過曝區域，所述過曝區域中包括過曝的光敏器件，所述第一指紋圖像是所述光敏器件陣列基于第一曝光周期采集的；

針對所述過曝區域確定第二曝光周期，使得所述過曝區域中的光敏器件基于所述第二曝光周期采集的指紋圖像滿足曝光條件，其中，所述第二曝光周期小于所述第一曝光周期；

控制所述光敏器件陣列中至少包括過曝區域的第一區域基于所述第二曝光周期采集指紋圖像，得到第二指紋圖像，并基于所述第二指紋圖像進行指紋識別。

在一種可能的實現方式中，針對所述過曝區域確定第二曝光周期，包括：

將預設的各曝光周期分別應用于所述過曝區域，以從所述各曝光周期中確定所述第二曝光周期。

在一種可能的實現方式中，將預設的各曝光周期分別應用于所述過曝區域，以從所述各曝光周期中確定所述第二曝光周期，包括：

控制過曝區域中的每一行光敏器件分別基于所述各曝光周期中不同的曝光周期采集第三指紋圖像；

當判斷出現滿足曝光條件的第三指紋圖像時，將采集滿足曝光條件的所述第三指紋圖像所用的曝光周期作為所述第二曝光周期。

在一種可能的實現方式中，控制所述光敏器件陣列中至少包括過曝區域的第一區域基于所述第二曝光周期采集指紋圖像，得到第二指紋圖像，包括：

在控制所述光敏器件陣列開始曝光后，進行以下操作：

控制所述第一區域基于所述第二曝光周期采集圖像，得到第四指紋圖像；

控制第二區域基于所述第一曝光周期采集圖像，得到第五指紋圖像，所述第二區域為當前用于指紋圖像采集的所述光敏器件陣列中除所述第一區域以外的區域；

根據所述第四指紋圖像和所述第五指紋圖像得到所述第二指紋圖像。

在一種可能的實現方式中，確定光敏器件陣列中的過曝區域，包括：

根據第一指紋圖像中的過曝區域，確定光敏器件陣列中的過曝區域。

根據本公開實施例的第二方面，提供一種指紋識別裝置，所述裝置包括：