一種半導體器件包括在襯底上的多個有源圖案。該半導體器件可以包括限定所述多個有源圖案的器件隔離層、與所述多個有源圖案交叉延伸的柵電極、以及在有源圖案上的源極/漏極圖案。所述多個有源圖案可以包括第一有源圖案和第二有源圖案。源極/漏極圖案包括在第一有源圖案上的第一部分、在第二有源圖案上的第二部分、以及從第一部分延伸并沿著第一有源圖案的上部延伸的第三部分。器件隔離層包括在源極/漏極圖案之下在第一有源圖案的側壁上的第一外部區段。第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部區段的頂表面的最高水平。

技術領域

本發明構思涉及半導體器件，更具體地，涉及具有各種形狀的源極/漏極圖案的半導體器件。

背景技術

半導體器件由于許多原因如其小尺寸、其多功能性和/或其低制造成本在電子工業中以及在其它工業中是有益的。半導體器件可以包括存儲邏輯數據的半導體存儲器件、處理邏輯數據的操作的半導體邏輯器件、以及具有存儲元件和邏輯器件兩者的混合半導體器件。電子工業和其它工業的進展已使半體器件具有越來越期望的增加的集成度。例如，已越來越多地要求具有高可靠性、高速度和/或多功能性的半導體器件。半導體器件正逐漸變得更加復雜和更加集成以滿足這些要求的特性。

發明內容

這里公開的本發明構思提供了具有改善的電特性的半導體器件。

根據本發明構思的一些示例實施方式，一種半導體器件可以包括在襯底上的多個有源圖案、限定所述多個有源圖案的器件隔離層、與所述多個有源圖案交叉延伸的柵電極、以及在所述多個有源圖案上的源極/漏極圖案。所述多個有源圖案可以包括第一有源圖案和第二有源圖案。源極/漏極圖案可以包括在第一有源圖案上的第一部分、在第二有源圖案上的第二部分、以及從第一部分延伸并沿著第一有源圖案的上部延伸的第三部分。器件隔離層可以包括在第一有源圖案的側壁上并且在源極/漏極圖案之下的第一外部區段。源極/漏極圖案的第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部區段的頂表面的最高水平。

根據本發明構思的一些示例實施方式，一種半導體器件可以包括在襯底上的多個有源圖案、限定所述多個有源圖案器件隔離層、與有源圖案交叉延伸的柵電極、以及在所述多個有源圖案上的源極/漏極圖案。所述多個有源圖案可以包括第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案。第二有源圖案可以在第一有源圖案與第三有源圖案之間。源極/漏極圖案可以包括在第一有源圖案上的第一部分、在第二有源圖案上的第二部分和在第三有源圖案上的第三部分。源極/漏極圖案的第一部分、第二部分和第三部分可以彼此合并。具有第一深度的第一谷可以被限定在源極/漏極圖案的第一部分與第二部分之間。具有第二深度的第二谷可以被限定在源極/漏極圖案的第二部分與第三部分之間。第二深度可以小于第一深度。

根據本發明構思的一些示例實施方式，一種半導體器件可以包括：襯底；在襯底上的第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案；與第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案交叉延伸的柵電極；以及在第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案上的源極/漏極圖案。源極/漏極圖案可以包括分別在第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案上的第一部分、第二部分和第三部分。源極/漏極圖案的第一部分和第二部分可以彼此間隔開。源極/漏極圖案的第二部分和第三部分可以彼此合并。源極/漏極圖案的第二部分的底表面的最低水平可以低于源極/漏極圖案的第三部分的底表面的最低水平。

附圖說明

圖1A、2A、3A和4A示出了顯示根據本發明構思的一些的制造半導體器件的方法中的操作的俯視圖。

圖1B、2B、3B和4B分別示出了沿圖1A、2A、3A和4A的線A-A'截取的剖視圖。

圖2C、3C和4C分別示出了沿圖2A、3A和4A的線B-B'截取的剖視圖。

圖2D、3D和4D分別示出了沿圖2A、3A和4A的線C-C'截取的剖視圖。

圖5示出了沿圖4A的線A-A'截取的剖視圖。