1.一種半導體器件，包括：

在襯底上的多個有源圖案，其中所述多個有源圖案包括第一有源圖案和第二有源圖案，以及其中所述第一有源圖案包括彼此面對的第一側壁和第二側壁；

限定所述多個有源圖案的器件隔離層，所述器件隔離層包括在所述第一有源圖案和所述第二有源圖案之間的居間區段；

與所述多個有源圖案交叉延伸的柵電極；以及

在所述多個有源圖案上的源極/漏極圖案，

其中所述源極/漏極圖案包括：

在所述第一有源圖案上的第一部分；

在所述第二有源圖案上的第二部分；和

從所述第一部分延伸并沿著所述第一有源圖案的所述第二側壁的上部延伸的第三部分，

其中所述源極/漏極圖案從所述第一部分跨過所述居間區段延伸至所述第二部分，

其中所述器件隔離層包括在所述第一有源圖案的所述第二側壁上并且在所述源極/漏極圖案之下的第一外部區段，

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分的底表面的最低水平低于所述第一外部區段的頂表面的最高水平，

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分的所述底表面的最低水平低于所述居間區段的頂表面的最低水平，

其中所述第一有源圖案的所述第一側壁與所述源極/漏極圖案間隔開，以及

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分包括被圓化的外表面。