[發明專利]一種PI基板及其制備方法在審
| 申請號： | 201910434466.5 | 申請日： | 2019-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN110212090A | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發明（設計）人： | 汪亞民 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/00 | 分類號： | H01L51/00;C08G73/10 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板 玻璃基板 剝離 測試過程 結構設置 設置方式 性能測試 最下層 疊層 量產 膜層 取樣 制備 上層 節約 生產 保留 | ||
1.一種PI基板，包括玻璃基板；其特征在于，其中所述玻璃基板上設置有第一PI膜層，所述第一PI膜層上設置有第二PI膜層；
其中所述第一PI膜層采用第一PI材料構成，所述第二PI膜層采用第二PI材料構成；
其中所述第二PI膜層于所述第一PI膜層上的設置方式使得其能夠以手動剝離的方式從所述第一PI膜層上完整剝離。
2.根據權利要求1所述的PI基板；其特征在于，其中所述第二PI膜層上還設置有第三PI膜層，其中所述第三PI膜層采用第三PI材料構成。
3.根據權利要求1所述的PI基板；其特征在于，其中所述第一PI膜層采用的第一PI材料與所述第二PI膜層采用的第二PI材料為相同的PI材料。
4.根據權利要求1所述的PI基板；其特征在于，其中所述第一PI膜層采用的第一PI材料，其中的聚酰亞胺復合物采用的分子結構通式如下：
5.根據權利要求4所述的PI基板；其特征在于，其中所述聚酰亞胺復合物采用的制備原料包括化合物A：2,4－二三氟甲基二酸酐、化合物B：2,4－二三氟甲基對苯胺以及化合物C：鄰苯二甲酸酐。
6.根據權利要求5所述的PI基板；其特征在于，其中所述化合物A和化合物B之間的摩爾比為1:3。
7.根據權利要求5所述的PI基板；其特征在于，其中所述化合物C與所述化合物A/化合物B兩者混合物之間的摩爾比為C:A/B＝1：(1～4)。
8.一種制備根據權利要求1所述的PI基板的制備方法；其特征在于，包括以下步驟：
提供一玻璃基板；
提供所述第一PI材料的前驅體聚酰胺酸溶液涂布于所述玻璃基板上，對其進行第一H-VCD處理以除去其中的50～80％的溶劑，然后對其進行第一恒溫制程(recipe)，使其在所述玻璃基板上交聯固化形成所述第一PI膜層；
在所述第一PI膜層上涂布所述第二PI材料的前驅體聚酰胺酸溶液，對其進行第二H-VCD處理以除去其中的50～80％的溶劑，然后對其進行第二恒溫制程，使其在所述第一PI膜層上交聯固化形成所述第二PI膜層。
9.根據權利要求8所述的PI基板制備方法；其特征在于，其中所述第一H-VCD處理為在110～130℃下除去涂布在所述玻璃基板上的所述第一PI材料的前驅體聚酰胺酸溶液中的65～75％的溶劑。
10.根據權利要求8所述的PI基板制備方法；其特征在于，其中所述第一恒溫制程和/或第二恒溫制程中，其最高恒溫溫度:430～500℃；升溫速率：4～8℃/min；升溫次數：1～5次；降溫速率：4～8℃/min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
