一種真空鍍膜設備，其包括：真空鍍膜腔室，包括腔室門和對所述基板進行真空鍍膜的至少一個真空制程腔，所述真空制程腔設于所述腔室門內；大氣傳輸腔室，包括至少一個對鍍膜后的所述基板進行散熱的大氣腔；以及移動裝置，將所述基板移動至所述真空鍍膜腔室或者所述大氣傳輸腔室的輸入端；其中所述大氣傳輸腔室的數量少于所述真空鍍膜腔室的數量。通過設置鍍膜真空室的數量大于大氣傳輸腔室的數量，使得同一大氣傳輸腔室可輸入不同真空鍍膜腔室內的基板，由此提高了大氣傳輸腔室的利用率，從而提高了鍍膜設備的生產效率。

技術領域

本發明涉及鍍膜技術領域，具體涉及一種真空鍍膜設備。

背景技術

現有的連續式真空鍍膜設備通常包括串聯設置的一個真空室和一個大氣室，物品從真空室的一側進入進行鍍膜，完成后從大氣室的另一側輸出，通常一個真空室一次只能對一個物品進行鍍膜，且物品在真空室內的鍍膜制程的時間長于在大氣室內過渡運行的時間，因此當前一個物品已經從大氣室輸出后，后一個物品仍在真空室內進行鍍膜，大氣室中始終存在一段沒有任何物品進入的空白時間段，由此導致了大氣室的利用率低，從而導致設備整體利用率低，生產效率較低，相應的生產成本較高。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中的大氣室利用率低、設備生產效率低的缺陷，從而提供一種真空鍍膜設備。

為此，本發明的技術方案如下：

一種真空鍍膜設備，其包括：

真空鍍膜腔室，包括腔室門和對所述基板進行真空鍍膜的至少一個真空制程腔，所述真空制程腔設于所述腔室門內；

大氣傳輸腔室，包括至少一個對鍍膜后的所述基板進行散熱的大氣腔；

以及移動裝置，將所述基板移動至所述真空鍍膜腔室或者所述大氣傳輸腔室的輸入端；

其中所述大氣傳輸腔室的數量少于所述真空鍍膜腔室的數量。

進一步地，每個所述大氣傳輸腔室對應設有至少兩個真空鍍膜腔室。

進一步地，所述真空鍍膜腔室包括多個間隔設置的真空環境不同的所述真空制程腔和/或所述大氣傳輸腔室包括多個間隔設置的大氣環境不同的所述大氣腔。

進一步地，所述真空鍍膜腔室和/或所述大氣傳輸腔室包括腔室門和真空閥，所述腔室門設于所述真空鍍膜腔室和/或所述大氣傳輸腔室的端部，所述真空閥連通所述真空制程腔和/或所述大氣腔的內部和真空泵。

進一步地，所述真空鍍膜腔室可切換為所述大氣傳輸腔室，和/或，所述大氣傳輸腔室可切換為真空鍍膜腔室。

進一步地，所述真空鍍膜腔室和所述大氣傳輸腔室內均設有傳輸機構，所述傳輸機構包括設于所述腔室內的磁性導軌以及傳送輥；

進一步地，所述移動裝置設于所述真空鍍膜腔室和所述大氣傳輸腔室的同側端部；

進一步地，所述真空鍍膜腔室和所述大氣傳輸腔室的兩側端部分別設置有所述移動裝置；

進一步地，所述移動裝置的傳輸方向垂直于所述傳輸機構的傳輸方向；

進一步地，還包括基板架，所述基板固定設于所述基板架上，所述基板架與所述磁性導軌磁性連接；所述基板架上設有與所述傳送輥連接的傳動軸。

進一步地，所述移動裝置包括移動組件和與其連接的固定組件，所述固定組件固定所述基板架，所述移動組件驅動所述固定組件移動。

進一步地，所述固定組件包括機架和設于其上的固定輥，所述固定輥上設有允許所述傳動軸卡入的凹槽；所述移動組件包括帶輪傳動件，所述機架與所述帶輪傳動件的傳動帶連接。