本發明提供一種微型發光元件、結構及其顯示裝置，微型發光元件包括磊晶結構層、第一型電極、第二型電極以及導光結構。磊晶結構層具有彼此相對的頂表面與底表面以及位于頂表面的多個第一凹槽。彼此分離的第一型電極及第二型電極配置于磊晶結構層上且位于底表面。導光結構配置于磊晶結構層上。導光結構覆蓋部分頂表面及部分第一凹槽的內壁，而定義出對應部分第一凹槽的多個第二凹槽。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，尤其涉及一種微型發光元件、微型發光元件結構及微型發光元件顯示裝置。

背景技術

目前微型發光二極管的轉移主要是通過靜電力或磁力等方式，將載體基板上的微型發光二極管轉板至接收基板上。一般來說，微型發光二極管會通過固定結構來固持而使微型發光二極管較容易自載體基板上拾取并運輸與轉移至接收基板上放置，且通過固定結構來鞏固微型發光二極管于轉板時不會受到其他外在因素而影響質量。此外，通常會有部分的固定結構會與微型發光二極管接觸，且留在轉移后的微型發光二極管上。由于此部分的固定結構大多為配置于微型發光二極管的出光面上，且因為固定結構的材料特性，所以此部分的固定結構會視為是一種導光結構。因此，如何在現有的架構下而提升微型發光元件的出光效率，已成為業界努力的目標之一。

發明內容

本發明提供一種微型發光元件，其導光結構具有對應磊晶結構層的部分第一凹槽的第二凹槽，可提升出光效率。

本發明提供一種微型發光元件結構，其固定結構的導光部具有對應微型發光元件的部分第一凹槽的第二凹槽，可提升微型發光元件的出光效率。

本發明提供一種微型發光元件顯示裝置，具有較佳地顯示質量。

本發明的微型發光元件，包括磊晶結構層、第一型電極、第二型電極以及導光結構。磊晶結構層具有彼此相對的頂表面與底表面以及位于頂表面的多個第一凹槽。第一型電極配置于磊晶結構層上且位于底表面。第二型電極與第一型電極彼此分離，而第二型電極配置于磊晶結構層上且位于底表面。導光結構配置于磊晶結構層上。導光結構覆蓋部分頂表面及部分第一凹槽的內壁，而定義出對應部分第一凹槽的多個第二凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層包括第一型半導體層、第二型半導體層以及發光層。第一型半導體層與第一型電極電性連接，且第一型半導體層具有頂表面。第二型半導體層與第二型電極電性連接。發光層位于第一型半導體層與第二型半導體層之間，其中第一型半導體層的頂表面相對遠離發光層。

在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層的頂表面具有中央區與環繞中央區的周圍區，而導光結構于周圍區的覆蓋率大于中央區的覆蓋率。

在本發明的一實施例中，上述的每一第一凹槽的深度與第一型半導體層的厚度的比值大于等于0.05且小于等于0.3。

在本發明的一實施例中，上述的導光結構具有彼此相對的第一表面與第二表面。第一表面接觸第一型半導體層，且第一表面的均方根粗糙度(root mean squaredeviation，Rq)大于第二表面的均方根粗糙度。

在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層的頂表面具有第一部分與第二部分。導光結構接觸第一部分，而第二部分的均方根粗糙度大于第一部分的均方根粗糙度。

在本發明的一實施例中，上述的每一第一凹槽的深度與微型發光元件的發光波長的比值介于0.5至3。每一第一凹槽的寬度與微型發光元件的發光波長的比值介于0.5至4。任兩相鄰的第一凹槽之間的間距與微型發光元件的發光波長的比值介于1至5。

在本發明的一實施例中，上述的每一第一凹槽的第一深度大于對應的每一第二凹槽的第二深度。每一第一凹槽的第一寬度大于對應的每一第二凹槽的第二寬度。

在本發明的一實施例中，上述的每一第一凹槽的第一深度與對應的每一第二凹槽的第二深度皆為大于等于10納米且小于等于1200納米。