[發明專利]微型發光元件、結構及其顯示裝置有效
| 申請號： | 201910363327.8 | 申請日： | 2019-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN111864029B | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 許廣元;嚴千智;賴彥霖 | 申請（專利權）人： | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 羅英;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工業*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微型 發光 元件 結構 及其 顯示裝置 | ||
1.一種微型發光元件，包括：
磊晶結構層，具有彼此相對的頂表面與底表面以及位于所述頂表面的多個第一凹槽；
第一型電極，配置于所述磊晶結構層上，且位于所述底表面；
第二型電極，與所述第一型電極彼此分離，配置于所述磊晶結構層上，且位于所述底表面；以及
導光結構，配置于所述磊晶結構層上，且覆蓋部分所述頂表面及部分所述多個第一凹槽的內壁，而定義出對應部分所述多個第一凹槽的多個第二凹槽，所述導光結構暴露出另一部分的所述頂表面及另一部分的所述多個第一凹槽的內壁，且所述頂表面具有中央區與環繞所述中央區的周圍區，所述多個第一凹槽在所述頂表面的所述中央區的分布密度大于在所述周圍區的分布密度。
2.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述磊晶結構層包括：
第一型半導體層，與所述第一型電極電性連接，且具有所述頂表面；
第二型半導體層，與所述第二型電極電性連接；以及
發光層，位于所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間，其中所述第一型半導體層的所述頂表面相對遠離所述發光層。
3.根據權利要求2所述的微型發光元件，其中所述第一型半導體層的所述頂表面具有中央區與環繞所述中央區的周圍區，而所述導光結構于所述周圍區的覆蓋率大于所述中央區的覆蓋率。
4.根據權利要求2所述的微型發光元件，其中各所述第一凹槽的深度與所述第一型半導體層的厚度的比值大于等于0.05且小于等于0.3。
5.根據權利要求2所述的微型發光元件，其中所述導光結構具有彼此相對的第一表面與第二表面，所述第一表面接觸所述第一型半導體層，且所述第一表面的均方根粗糙度大于所述第二表面的均方根粗糙度。
6.根據權利要求2所述的微型發光元件，其中所述第一型半導體層的所述頂表面具有第一部分與第二部分，所述導光結構接觸所述第一部分，而所述第二部分的均方根粗糙度大于所述第一部分的均方根粗糙度。
7.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中各所述第一凹槽的深度與所述微型發光元件的發光波長的比值介于0.5至3，而各所述第一凹槽的寬度與所述微型發光元件的發光波長的比值介于0.5至4，且任兩相鄰的所述多個第一凹槽之間的間距與所述微型發光元件的發光波長的比值介于1至5。
8.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中各所述第一凹槽的第一深度大于對應的各所述第二凹槽的第二深度，且各所述第一凹槽的第一寬度大于對應的各所述第二凹槽的第二寬度。
9.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中各所述第一凹槽的第一深度與對應的各所述第二凹槽的第二深度皆為大于等于10納米且小于等于1200納米。
10.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中各所述第一凹槽的第一寬度與對應的各所述第二凹槽的第二寬度皆大于等于400納米且小于等于2.2微米。
11.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中任兩相鄰的所述多個第一凹槽的第一間距與任兩相鄰的所述多個第二凹槽的第二間距皆小于等于2.2微米且大于等于0.5微米。
12.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中各所述第一凹槽的剖面形狀包括圓弧狀、錐狀或平臺狀。
13.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中相鄰的所述多個第一凹槽的深度不同。
14.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述多個第二凹槽與對應的所述多個第一凹槽共形設置。
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