本公開(kāi)涉及具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)的晶體管溝槽結(jié)構(gòu)。一種溝槽結(jié)構(gòu)正側(cè)向定位在第一晶體管的第一阱和第一源極區(qū)與第二阱區(qū)之間，其中第二源極用于第二晶體管。所述溝槽結(jié)構(gòu)包括所述第一晶體管的第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第二晶體管的第二柵極結(jié)構(gòu)、第一導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第一場(chǎng)板結(jié)構(gòu)、所述第二場(chǎng)板結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)在所述溝槽結(jié)構(gòu)中定位于所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間的側(cè)向線中。所述溝槽結(jié)構(gòu)包括在所述側(cè)向線中將所述第一場(chǎng)板結(jié)構(gòu)與所述第二場(chǎng)板結(jié)構(gòu)彼此分離的介電質(zhì)。所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極區(qū)包括定位在所述溝槽結(jié)構(gòu)正下方的部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體裝置且更具體地說(shuō)涉及具有帶場(chǎng)板的溝槽結(jié)構(gòu)的晶體管。

背景技術(shù)

一些類型的晶體管包括定位在基板的溝槽結(jié)構(gòu)中的晶體管結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，一些類型的晶體管包括定位在溝槽結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種晶體管裝置，包括：

第一晶體管的第一源極區(qū)；

所述第一晶體管的第一阱區(qū)；

第二晶體管的第二源極區(qū)；

所述第二晶體管的第二阱區(qū)；

溝槽結(jié)構(gòu)，其正側(cè)向定位在所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間，所述溝槽結(jié)構(gòu)包括：

所述第一晶體管的第一柵極結(jié)構(gòu)；

所述第二晶體管的第二柵極結(jié)構(gòu)；

第一導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；

第二導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；

其中所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)各自包括在所述溝槽結(jié)構(gòu)中正側(cè)向定位在所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間的部分；

其中所述第一導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)各自包括正側(cè)向定位在所述第一柵極結(jié)構(gòu)與所述第二柵極結(jié)構(gòu)之間的部分；

所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極區(qū)，其包括定位在所述溝槽結(jié)構(gòu)正下方的部分。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一晶體管被表征為場(chǎng)效應(yīng)晶體管且所述第二晶體管被表征為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述溝槽結(jié)構(gòu)沿著側(cè)向線正側(cè)向定位在所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間，其中所述第一導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)各自在所述溝槽結(jié)構(gòu)中在所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)下方從所述側(cè)向線延伸。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述溝槽結(jié)構(gòu)沿著側(cè)向線正側(cè)向定位在所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間，其中所述第一場(chǎng)板結(jié)構(gòu)沿著所述側(cè)向線與所述第二導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)側(cè)向分離的距離大于所述第一柵極結(jié)構(gòu)沿著所述線與所述第一導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)分離的距離和所述第二柵極結(jié)構(gòu)沿著所述側(cè)向線與所述第二導(dǎo)電場(chǎng)板結(jié)構(gòu)分離的距離。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一阱區(qū)包括定位在所述第一源極區(qū)正下方且在所述第一柵極結(jié)構(gòu)正側(cè)方的所述第一晶體管的第一溝道區(qū)，所述第二阱區(qū)包括定位在所述第二源極區(qū)正下方且在所述第二柵極結(jié)構(gòu)的正側(cè)方的所述第二晶體管的第二溝道區(qū)，所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)各自被表征為豎直溝道區(qū)。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)各自包括具有第一類型的凈導(dǎo)電率摻雜的部分，所述漏極區(qū)包括具有第一濃度的第二類型的凈導(dǎo)電率的部分，其中第三區(qū)定位在所述第一阱區(qū)與所述漏極區(qū)之間且第四區(qū)定位在所述第二阱區(qū)與所述漏極區(qū)之間，所述第三區(qū)和所述第四區(qū)各自具有第二濃度的所述第二類型的凈導(dǎo)電率，所述第二濃度小于所述第一濃度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述溝槽結(jié)構(gòu)定位在內(nèi)埋介電層正上方。