4.一種制造晶體管的方法，其特征在于，包括：

在基板中形成溝槽；

在所述溝槽中形成場板材料層；

將在所述溝槽中的所述場板材料層分離成第一導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)；

在所述溝槽中的所述第一導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)之間形成介電分離；

在所述溝槽中形成第一晶體管的第一柵極結(jié)構(gòu)；

在所述溝槽中形成第二晶體管的第二柵極結(jié)構(gòu)；

在鄰近所述溝槽的第一側(cè)壁的所述基板的第一阱區(qū)中形成第一源極區(qū)，所述第一源極區(qū)用于所述第一晶體管；

在鄰近于所述溝槽的第二側(cè)壁的所述基板中的第二阱區(qū)中形成第二源極區(qū)，所述溝槽的第二側(cè)壁與所述溝槽的所述第一側(cè)壁相對，所述第二源極區(qū)用于所述第二晶體管；

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極區(qū)包括定位在所述溝槽正下方的部分；

其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第一導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)、所述第二導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)在所述溝槽中定位在所述第一阱區(qū)與所述第二阱區(qū)之間的側(cè)向線中，其中，介電質(zhì)定位在所述溝槽中且在所述側(cè)向線中使所述第一導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)與所述第二導(dǎo)電場板結(jié)構(gòu)分離。