[發明專利]存儲模塊的測試方法、主板中存儲單元的測試方法及裝置有效
| 申請號: | 201910108386.0 | 申請日: | 2019-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN109828878B | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發明(設計)人: | 歐陽志光;葉佳星;鄧海東 | 申請(專利權)人: | 晶晨半導體(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/22 | 分類號: | G06F11/22;G06F11/26 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 模塊 測試 方法 主板 單元 裝置 | ||
1.一種存儲模塊的測試方法,其特征在于:存儲模塊中存儲有用于設置所述存儲模塊的訓練參數集合;所述測試方法包括下述步驟:
S1. 訓練所述存儲模塊;
S2. 識別所述存儲模塊是否通過訓練,若是,執行步驟S3;若否,執行步驟S4;
S3. 提取通過訓練的訓練參數集合設置所述存儲模塊,執行步驟S5;
S4. 依據維修參數集合設置所述存儲模塊,執行步驟S5;
S5. 檢測所述存儲模塊的數據線是否正常,若是,輸出檢測正常的結果;若否,輸出檢測異常的結果;
所述步驟S5檢測所述存儲模塊的數據線是否正常包括:預先將原始測試數據寫入所述存儲模塊中;
S51. 讀取所述存儲模塊中的測試數據;
S52. 將讀取的測試數據與所述原始測試數據比對,判斷讀取的測試數據與所述原始測試數據是否相同,若是,執行步驟S53;若否,執行步驟S54;
S53. 輸出檢測正常的結果;
S54. 輸出檢測異常的結果。
2.根據權利要求1所述的存儲模塊的測試方法,其特征在于:所述步驟S52還包括:
當讀取的測試數據與所述原始測試數據不相同時,判斷根據讀取的測試數據與所述原始測試數據的區別,識別故障的數據線,并生成故障數據線的報錯信息。
3.一種主板中存儲單元的測試方法,所述存儲單元包括至少兩個存儲模塊,其特征在于:每一存儲模塊中存儲有用于設置所述存儲模塊的訓練參數集合;所述測試方法包括:
A1. 對所述存儲單元中的一待測存儲模塊進行訓練;
A2. 識別所述待測存儲模塊是否通過訓練,若是,執行步驟A3;若否,執行步驟A4;
A3. 提取通過訓練的訓練參數集合設置所述待測存儲模塊,執行步驟A5;
A4. 依據維修參數集合設置所述待測存儲模塊,執行步驟A5;
A5. 檢測所述待測存儲模塊的數據線是否正常,若是,輸出檢測正常的結果,執行步驟A6;若否,生成檢測異常的結果,執行步驟A6;
A6. 判斷所述存儲單元中是否有未檢測的存儲模塊,若是,返回執行步驟A1;若否,結束;
所述步驟A5檢測所述待測存儲模塊的數據線是否正常包括:預先將原始測試數據寫入所述待測存儲模塊中;
A51. 讀取所述待測存儲模塊中的測試數據;
A52. 將讀取的測試數據與所述原始測試數據比對,判斷讀取的測試數據與所述原始測試數據是否相同,若是,執行步驟SA3;若否,執行步驟SA4;
A53. 輸出檢測正常的結果;
A54. 輸出檢測異常的結果。
4.一種存儲模塊的測試裝置,其特征在于:存儲模塊中存儲有用于設置所述存儲模塊的訓練參數集合;所述測試裝置包括:
第一訓練單元,用于訓練所述存儲模塊;
第一識別單元,用于識別所述存儲模塊是否通過訓練;
第一設置單元,用于提取通過訓練的訓練參數集合設置所述存儲模塊,執行步驟S5;
第一維修設置單元,用于依據維修參數集合設置所述存儲模塊,執行步驟S5;
第一檢測單元,用于檢測所述存儲模塊的數據線是否正常,當所述存儲模塊的數據線正常時,輸出檢測正常的結果;當所述存儲模塊的數據線異常時,輸出檢測異常的結果;
預先將原始測試數據寫入所述存儲模塊中;所述第一檢測單元包括:
第一讀取模塊,用于讀取所述存儲模塊中的測試數據;
第一比對模塊,用于將讀取的測試數據與所述原始測試數據比對,判斷讀取的測試數據與所述原始測試數據是否相同,當讀取的測試數據與所述原始測試數據相同時,輸出檢測正常的結果;當讀取的測試數據與所述原始測試數據不相同時,輸出檢測異常的結果。
5.根據權利要求4所述的存儲模塊的測試裝置,其特征在于:所述第一比對模塊還用于當讀取的測試數據與所述原始測試數據不相同時,判斷根據讀取的測試數據與所述原始測試數據的區別,識別故障的數據線,并生成故障數據線的報錯信息。
6.一種主板中存儲單元的測試裝置,所述存儲單元包括至少兩個存儲模塊,每一存儲模塊中存儲有用于設置所述存儲模塊的訓練參數集合;其特征在于:所述測試裝置包括:
第二訓練單元,用于對所述存儲單元中的一待測存儲模塊進行訓練;
第二識別單元,用于識別所述待測存儲模塊是否通過訓練;
第二設置單元,用于提取通過訓練的訓練參數集合設置所述待測存儲模塊;
第二維修設置單元,用于依據維修參數集合設置所述待測存儲模塊;
第二檢測單元,用于檢測所述待測存儲模塊的數據線是否正常,當所述待測存儲模塊的數據線正常時,輸出檢測正常的結果;當所述待測存儲模塊的數據線異常時,輸出檢測異常的結果;
控制單元,用于判斷所述存儲單元中是否有未檢測的存儲模塊,當所述存儲單元中有未檢測的存儲模塊時,控制所述第二訓練單元對所述存儲單元中的一待測存儲模塊進行訓練;
預先將原始測試數據寫入所述待測存儲模塊中;所述第二檢測單元包括:
第二讀取模塊,用于讀取所述待測存儲模塊中的測試數據;
第二比對模塊,用于將讀取的測試數據與所述原始測試數據比對,判斷讀取的測試數據與所述原始測試數據是否相同,當讀取的測試數據與所述原始測試數據相同時,輸出檢測正常的結果;當讀取的測試數據與所述原始測試數據不相同時,輸出檢測異常的結果。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于晶晨半導體(上海)股份有限公司,未經晶晨半導體(上海)股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201910108386.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





