本發明提供了一種IC類拋光片缺陷檢驗方法，包括COP缺陷檢測和粗糙度檢測；所述COP缺陷檢測用于檢測拋光片的COP缺陷；所述粗糙度檢測用于檢測拋光片表面的粗糙度。本發明所述的IC類拋光片缺陷檢驗方法完善了COP缺陷和粗糙度檢驗方法，使COP缺陷和粗糙度能夠量化的去分析改善。

技術領域

本發明屬于缺陷檢測技術領域，尤其是涉及一種IC類拋光片缺陷檢驗方法。

背景技術

傳統的拋光片的缺陷檢驗更多是指位錯、層錯和顆粒等表面檢驗，基于IC類產品要求，對于體缺陷和表面缺陷的要求更高，傳統的檢測方法檢測項目單一，無法滿足對IC類拋光片的檢測要求。

發明內容

有鑒于此，本發明旨在提出一種IC類拋光片缺陷檢驗方法，以解決傳統的檢測方法檢測項目單一，無法滿足對IC類拋光片的檢測要求的情況。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

一種IC類拋光片缺陷檢驗方法，包括COP缺陷檢測和粗糙度檢測；

所述COP缺陷檢測用于檢測拋光片的COP缺陷；

所述粗糙度檢測用于檢測拋光片表面的粗糙度。

進一步的，所述COP缺陷檢測包括晶體部分檢測,所述晶體部分檢測的方法如下：

S1、晶體待測樣品處理；晶體待測樣品經過切片、磨片、腐蝕、拋光至拋光片；

S2、FPD測試；使用Secco溶液腐蝕晶體待測樣品，觀察FPD缺陷，檢測是否存在COP缺陷；

S3、OISF測試；取部分拋光片在濕氧條件下進行高溫處理，使用Wright Etching溶液腐蝕，然后在顯微鏡下觀察缺陷環，確認COP缺陷分布范圍；

S4、SP1測試；通過SP1顆粒掃描儀進行掃描測試，根據mapping分布進一步確認COP缺陷分布，根據測試結果判斷COP粒徑大小和數量。

進一步的，所述COP缺陷檢測還包括晶片部分檢測，晶片部分檢測如下：

1)、取部分拋光片在濕氧條件下進行高溫處理；

2)、使用HF去除背面氧化膜；

3)、通過晶體原生缺陷檢測設備進行Cu墜飾；

4)、利用顯微鏡觀察COP缺陷分布；

5)、利用SP1顆粒掃描儀進行掃描，根據mapping分布進一步確認COP缺陷分布，根據SP1測試結果判斷COP缺陷的大小和數量。

進一步的，所述粗糙度測試包括：

步驟A、使用顯微鏡進行粗糙度測試，用于檢測粗糙度值；

步驟B、使用顆粒掃描儀進行Haze測試，用于測試微粗糙度；

步驟C、通過粗糙度值、Haze值及Mapping圖進行拋光片表面粗糙度分析及改善。

相對于現有技術，本發明所述的IC類拋光片缺陷檢驗方法具有以下優勢：

本發明所述的IC類拋光片缺陷檢驗方法完善了COP缺陷和粗糙度檢驗方法，使COP缺陷和粗糙度能夠量化的去分析改善。

附圖說明

構成本發明的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明實施例所述的晶體部分檢測中從左向右依次為為OISF、FPD和SP1檢測結果示意圖；