[發(fā)明專利]一種IC類拋光片缺陷檢驗(yàn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910104744.0 | 申請日： | 2019-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN109916363A | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉琦;劉秒;楊春雪;苗向春;謝艷;呂瑩;孫晨光 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01B21/30 | 分類號： | G01B21/30;G01N33/00 |
| 代理公司： | 天津?yàn)I?？凭曋R產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211 | 代理人： | 王耀云 |
| 地址： | 300384 天津市濱海新區(qū)*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 拋光片 缺陷檢驗(yàn) 粗糙度 粗糙度檢測 缺陷檢測 拋光片表面 檢測 量化 檢驗(yàn) 分析 | ||
1.一種IC類拋光片缺陷檢驗(yàn)方法，其特征在于：包括COP缺陷檢測和粗糙度檢測；
所述COP缺陷檢測用于檢測拋光片的COP缺陷；
所述粗糙度檢測用于檢測拋光片表面的粗糙度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC類拋光片缺陷檢驗(yàn)方法，其特征在于：所述COP缺陷檢測包括晶體部分檢測,所述晶體部分檢測的方法如下：
S1、晶體待測樣品處理；晶體待測樣品經(jīng)過切片、磨片、腐蝕、拋光至拋光片；
S2、FPD測試；使用Secco溶液腐蝕晶體待測樣品，觀察FPD缺陷，檢測是否存在COP缺陷；
S3、OISF測試；取部分拋光片在濕氧條件下進(jìn)行高溫處理，使用Wright Etching溶液腐蝕，然后在顯微鏡下觀察缺陷環(huán)，確認(rèn)COP缺陷分布范圍；
S4、SP1測試；通過SP1顆粒掃描儀進(jìn)行掃描測試，根據(jù)mapping分布進(jìn)一步確認(rèn)COP缺陷分布，根據(jù)測試結(jié)果判斷COP粒徑大小和數(shù)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC類拋光片缺陷檢驗(yàn)方法，其特征在于：所述COP缺陷檢測還包括晶片部分檢測，晶片部分檢測如下：
1)、取部分拋光片在濕氧條件下進(jìn)行高溫處理；
2)、使用HF去除背面氧化膜；
3)、通過晶體原生缺陷檢測設(shè)備進(jìn)行Cu墜飾；
4)、利用顯微鏡觀察COP缺陷分布；
5)、利用SP1顆粒掃描儀進(jìn)行掃描，根據(jù)mapping分布進(jìn)一步確認(rèn)COP缺陷分布，根據(jù)SP1測試結(jié)果判斷COP缺陷的大小和數(shù)量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC類拋光片缺陷檢驗(yàn)方法，其特征在于，所述粗糙度測試包括：
步驟A、使用顯微鏡進(jìn)行粗糙度測試，用于檢測粗糙度值；
步驟B、使用顆粒掃描儀進(jìn)行Haze測試，用于測試微粗糙度；
步驟C、通過粗糙度值、Haze值及Mapping圖進(jìn)行拋光片表面粗糙度分析及改善。
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