[發明專利]排液頭基板、制造排液頭基板的方法、排液頭和排液設備有效
| 申請號： | 201880011541.0 | 申請日： | 2018-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN110290927B | 公開（公告）日： | 2021-11-23 |
| 發明（設計）人： | 江藤徹;佐佐木圭一 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | B41J2/16 | 分類號： | B41J2/16 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 張小穩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 排液頭基板 制造 方法 排液頭 設備 | ||
1.一種制造排液頭基板的方法，其特征在于，該方法包括：
形成包括半導體元件和第一布線結構的第一基板，所述第一布線結構包括第一最上面的布線層中的第一導電構件和與所述第一導電構件接觸的第一絕緣構件；
形成包括排液元件和第二布線結構的第二基板，所述第二布線結構包括第二最上面的布線層中的第二導電構件和與所述第二導電構件接觸的第二絕緣構件；以及
將所述第一布線結構和所述第二布線結構接合，使得：
在形成所述第一基板和所述第二基板之后，所述半導體元件和所述排液元件彼此電連接；
所述第一導電構件和所述第二導電構件在與所述排液元件重疊的位置處彼此接合；以及
所述第一絕緣構件和所述第二絕緣構件彼此接合。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第二基板包括在形成所述排液元件之后形成所述第二布線結構。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述第二基板包括：
在基底上方形成保護膜，
在所述保護膜上方形成所述排液元件，以及
在所述排液元件上方形成所述第二布線結構。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述第二基板還包括：在形成所述第二布線結構之前，在不低于400℃的溫度處對所述排液元件和所述保護膜中的至少一者進行退火。
5.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述第二布線結構包括：
在所述排液元件上方形成絕緣層，以及
使所述絕緣層的上表面平坦化。
6.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第二布線結構還包括所述第二絕緣構件內的多個層的導電構件，以及
所述多個層的導電構件中最靠近所述排液元件的層的導電構件不包括在所述排液元件正下方的導電部分。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第二布線結構還包括在所述第二絕緣構件內的溫度傳感器，所述溫度傳感器被配置為測量所述排液元件的溫度，以及
所述溫度傳感器被定位為比最靠近的層的導電構件更靠近所述排液元件。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述第二基板還包括：在形成所述多個層的導電構件之前，在不低于400℃的溫度處對所述溫度傳感器進行退火。
9.根據權利要求3所述的方法，還包括在所述接合之后去除所述基底的與所述排液元件重疊的部分。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述基底的剩余部分形成排出液體的通道的一部分。
11.根據權利要求10所述的方法，還包括在去除所述基底的重疊部分之后形成抗氣蝕膜，所述抗氣蝕膜跨所述保護膜覆蓋所述排液元件。
12.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述第二基板還包括：在所述基底上方形成所述保護膜之前，在所述基底中形成犧牲層，
該方法還包括在所述接合之前去除所述犧牲層，以及
去除所述犧牲層之后的所述基底形成排出液體的通道的一部分。
13.根據權利要求3所述的方法，其中，所述保護膜是第一保護膜，以及
形成所述第二基板還包括：
在形成所述排液元件之后，形成覆蓋所述排液元件的第二保護膜，以及
在不低于400℃的溫度處對所述第二保護膜進行退火。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，其中，所述排液元件是發熱元件。
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