本實用新型公開了一種高速數據接口ESD保護器件，包括封裝框架、芯片電路板和介質層；所述封裝框架與芯片電路板之間設置介質層；所述介質層設置非導電膠裝片。介質層為CVD淀積二氧化硅層。介質層的厚度為0.5～1um。本實用新型提供的高速數據接口ESD保護器件，通過在芯片背面設置CVD淀積的二氧化硅層和非導電膠層；二氧化硅層的背面貼絕緣膜或非導電膠層，在芯片與封裝框架之間既設置有二氧化硅，又有非導電膠層，增加了芯片襯底與封裝框架之間的介電常數，從而降低了寄生電容。通過降低IO?GND的寄生電容，間接為IO?IO留出更大電容空間；實現了IO?IO、IO?GND更低電容，可使改產品滿足更廣的應用領域。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件技術領域，特別是一種高速數據接口ESD保護器件。

背景技術

隨著接口數據傳輸速率的不斷發展，HDMI2.0Type C等高速接口對保護產品的要求不僅體現在了低殘壓上，結電容也至關重要。目前應用于HDMI2.0接口保護的產品以DFN2510封裝為主，該產品Pin1、Pin2、Pin4和Pin5為IO口，而Pin3和Pin8為GND口，按當前低電容結構，IO-IO的電容是IO-GND電容的一般，而器件電容有與放電能力正相關，因此，IO-GND的電容限制了IO-IO的放電能力。

盡管也可用非導電膠的封裝方式實現此功能，但由于芯片與襯底之前的寄生電容影響，仍然無法做到IO-IO與IO-GND等電容。

發明內容

本實用新型的目的是提出一種高速數據接口ESD保護器件；本產品在現有結構的基礎上通過改進封裝，實現了IO-IO，IO-GND等電容，從而使得IO-IO的放電能力得到提高。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：

本實用新型提供的一種高速數據接口ESD保護器件，包括電容、Pin支路、穩壓二極管；所述穩壓二極管的陽極與電容串聯；所述Pin支路并聯于穩壓二極管的兩端。

進一步，所述Pin支路包括第一二極管和第二二極管；所述第一二極管的陽極與穩壓二極管的陽極連接；所述第一二極管的陰極與第二二極管的陽極連接；所述第二二極管的陰極與穩壓二極管的陰極連接。

進一步，所述Pin支路為若干相互并聯的Pin支路。

進一步，所述穩壓二極管包括封裝框架、芯片電路板和介質層；所述封裝框架與芯片電路板之間設置介質層；所述介質層設置非導電膠層。

進一步，所述介質層為CVD淀積二氧化硅層。

進一步，所述介質層的厚度為0.5～1um。

由于采用了上述技術方案，本實用新型具有如下的優點：

本實用新型提供的高速數據接口ESD保護器件，通過在芯片背面設置CVD淀積的二氧化硅層和非導電膠層；二氧化硅層的背面貼絕緣膜或非導電膠層，在芯片電路板與封裝框架之間既設置有二氧化硅，又有非導電膠層，增加了芯片襯底與封裝框架之間的介電常數，從而降低了寄生電容。通過降低IO-GND的寄生電容，間接為IO-IO留出更大電容空間；實現了IO-IO、IO-GND更低電容，可使改產品滿足更廣的應用領域。

本實用新型的其他優點、目標和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領域技術人員而言將是顯而易見的，或者可以從本實用新型的實踐中得到教導。本實用新型的目標和其他優點可以通過下面的說明書來實現和獲得。

附圖說明

本實用新型的附圖說明如下。

圖1為本實用新型的器件結構圖。

圖2為本實用新型的CVD二氧化硅。

圖3為本實用新型的背面貼絕緣膜或點非導電膠。