[實用新型]一種高速數據接口ESD保護器件有效
| 申請號： | 201821455130.4 | 申請日： | 2018-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN208861981U | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 張猛;梁令榮;黃俊 | 申請（專利權）人： | 伯恩半導體（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/29;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介質層 非導電膠 封裝框架 高速數據接口 二氧化硅層 本實用新型 芯片電路板 寄生電容 淀積 芯片 二氧化硅 介電常數 芯片背面 大電容 低電容 絕緣膜 襯底 裝片 背面 | ||
【權利要求書】：
1.一種高速數據接口ESD保護器件，其特征在于：包括電容、Pin支路和穩壓二極管；所述穩壓二極管的陽極與電容串聯；所述Pin支路并聯于穩壓二極管的兩端；
所述穩壓二極管包括封裝框架、芯片電路板和介質層；所述封裝框架與芯片電路板之間設置介質層；所述介質層設置非導電膠層。
2.如權利要求1所述的高速數據接口ESD保護器件，其特征在于：所述Pin支路包括第一二極管和第二二極管；所述第一二極管的陽極與穩壓二極管的陽極連接；所述第一二極管的陰極與第二二極管的陽極連接；所述第二二極管的陰極與穩壓二極管的陰極連接。
3.如權利要求1所述的高速數據接口ESD保護器件，其特征在于：所述Pin支路為若干相互并聯的Pin支路。
4.如權利要求3所述的高速數據接口ESD保護器件，其特征在于：所述介質層為CVD淀積二氧化硅層。
5.如權利要求3所述的高速數據接口ESD保護器件，其特征在于：所述介質層的厚度為0.5～1um。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
