[實(shí)用新型]溝槽隔離結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821434102.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN209045526U | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/762 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 羅泳文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣部 凸起部 側(cè)壁保護(hù) 絕緣介質(zhì) 襯底 溝槽隔離結(jié)構(gòu) 本實(shí)用新型 側(cè)壁延伸部 絕緣介質(zhì)層 凸起連接部 側(cè)壁 刻蝕選擇比 支撐層 減小 覆蓋 填充 腐蝕 | ||
1.一種溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底中具有溝槽；
絕緣介質(zhì)層，包括填充于所述溝槽的第一絕緣部以及凸出于所述第一絕緣部頂面的第二絕緣部，所述第二絕緣部包括上部的凸起部以及位于所述凸起部及所述第一絕緣部之間的凸起連接部；
側(cè)壁保護(hù)部，覆蓋于述第二絕緣部的所述凸起部的側(cè)壁；以及
側(cè)壁延伸部，覆蓋于所述第二絕緣部的所述凸起連接部的側(cè)壁；
其中，所述側(cè)壁保護(hù)部與所述絕緣介質(zhì)層具有不同材質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二絕緣部的所述凸起部的高度范圍介于5納米～25納米，所述第二絕緣部的所述連接部的高度范圍介于5納米～20納米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述側(cè)壁保護(hù)部的高度范圍介于5納米～25納米之間，寬度范圍介于3納米～20納米之間，所述側(cè)壁延伸部的高度范圍介于3納米～12納米之間，寬度范圍介于5納米～20納米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述側(cè)壁延伸部與所述絕緣介質(zhì)層具有相同材質(zhì)，所述側(cè)壁延伸部的材質(zhì)包括氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述溝槽的側(cè)壁及頂角具有熱氧化形成的絕緣側(cè)壁及絕緣圓化頂角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣介質(zhì)層的高度范圍介于250納米～600納米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)包括氧化硅，所述側(cè)壁保護(hù)部的材質(zhì)包括氮化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
