本實用新型提供一種具有防反接電路的ESD保護電路，所述具有防反接電路的ESD保護電路包括：ESD保護電路，連接于電源輸入端和內部電路之間，用于對內部電路進行ESD保護；及防反接電路，連接于電源輸入端和ESD保護電路之間，用于當電源輸入端接入正向電源電壓時，防反接電路導通，電源輸入端與內部電路之間呈現通路；當電源輸入端接入反向電源電壓時，防反接電路關斷，電源輸入端與內部電路之間呈現開路，以進行防反接保護。通過本實用新型解決了現有ESD保護電路中，當電源輸入端接入反向電源電壓時，所述NMOS管本身的寄生二極管導通，從而產生大電流，導致整個電路系統工作不正常、甚至燒毀的問題。

技術領域

本實用新型涉及電路設計領域，特別是涉及一種具有防反接電路的ESD保護電路。

背景技術

靜電釋放(Electrostatic Discharge，ESD)保護對集成電路來說是非常重要的，在集成電路設計領域已經進行了許多研究。無論是在電子設備的正常使用、運輸和庫存中、還是在生產裝配各種集成電路元件的過程中都有可能發生靜電釋放。這些難以正確預見和防范的靜電釋放會損壞集成電路，產生不良率，甚至導致嚴重的損失。在目前的集成電路設計和制造中都會特別注意ESD保護電路的設計。

現有芯片設計中，一般會在電源輸入端與內部電路之間設置ESD保護電路，用以實現內部電路的ESD保護?，F有ESD保護電路10連接于電源輸入端(VDD為正電源輸入端、GND為負電源輸入端)和內部電路之間，具體電路結構如圖1所示，包括一NMOS管NM1’，其中，所述NMOS管NM1’本身具有寄生二極管Ds’；當在VDD和GND之間加正向電源電壓時，內部電路正常工作，NMOS管NM1’作為內部電路的ESD保護管處于關斷狀態，對內部電路進行ESD保護；但當VDD和GND之間加反向電源電壓時，NMOS管NM1’本身的寄生二極管Ds’導通，導致有大電流產生，從而會導致整個電路系統工作不正常，甚至燒毀。

鑒于此，有必要設計一種新的具有防反接電路的ESD保護電路，用以解決上述技術問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種具有防反接電路的ESD保護電路，用于解決現有ESD保護電路中，當電源輸入端接入反向電源電壓時，所述NMOS管本身的寄生二極管導通，從而產生大電流，導致整個電路系統工作不正常、甚至燒毀的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種具有防反接電路的ESD保護電路，所述ESD保護電路包括：

ESD保護電路，連接于電源輸入端和內部電路之間，用于對所述內部電路進行ESD保護；以及

防反接電路，連接于所述電源輸入端和所述ESD保護電路之間，用于當所述電源輸入端接入正向電源電壓時，所述防反接電路導通，所述電源輸入端與所述內部電路之間呈現通路；當所述電源輸入端接入反向電源電壓時，所述防反接電路關斷，所述電源輸入端與所述內部電路之間呈現開路，以進行防反接保護。

可選地，所述防反接電路包括：

一防反接單元，連接于所述電源輸入端和所述ESD保護電路之間，用于當所述電源輸入端接入正向電源電壓時，所述防反接電路導通，所述電源輸入端與所述內部電路之間呈現通路；當所述電源輸入端接入反向電源電壓時，所述防反接電路關斷，所述電源輸入端與所述內部電路之間呈現斷路；以及

襯底切換單元，連接于所述防反接單元，用于從電源電壓和所述內部電路的輸入電壓中選擇高電位電壓作為所述防反接單元的襯底電壓。

可選地，所述防反接單元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源極端接入正電源輸入端，所述第一PMOS管的柵極端接入負電源輸入端，所述第一PMOS管的漏極端與所述ESD保護電路連接，所述第一PMOS管的襯底端與所述襯底切換單元連接。