[實用新型]一種具有防反接電路的ESD保護(hù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821204302.0 | 申請日： | 2018-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN208623330U | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周堯;劉桂芝;吳國平;崔鳳敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海南麟電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H02H11/00 | 分類號： | H02H11/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電源輸入端 防反接電路 內(nèi)部電路 電源電壓 本實用新型 寄生二極管導(dǎo)通 防反接保護(hù) 電路系統(tǒng) 大電流 導(dǎo)通 關(guān)斷 正向 開路 燒毀 | ||
1.一種具有防反接電路的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述具有防反接電路的ESD保護(hù)電路包括：
ESD保護(hù)電路，連接于電源輸入端和內(nèi)部電路之間，用于對所述內(nèi)部電路進(jìn)行ESD保護(hù)；以及
防反接電路，連接于所述電源輸入端和所述ESD保護(hù)電路之間，用于當(dāng)所述電源輸入端接入正向電源電壓時，所述防反接電路導(dǎo)通，所述電源輸入端與所述內(nèi)部電路之間呈現(xiàn)通路；當(dāng)所述電源輸入端接入反向電源電壓時，所述防反接電路關(guān)斷，所述電源輸入端與所述內(nèi)部電路之間呈現(xiàn)開路，以進(jìn)行防反接保護(hù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反接電路的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述防反接電路包括：一防反接單元及連接于所述防反接單元的襯底切換單元，其中，所述襯底切換單元用于從電源電壓和所述內(nèi)部電路的輸入電壓中選擇高電位電壓作為所述防反接單元的襯底電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有防反接電路的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述防反接單元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源極端接入正電源輸入端，所述第一PMOS管的柵極端接入負(fù)電源輸入端，所述第一PMOS管的漏極端與所述ESD保護(hù)電路連接，所述第一PMOS管的襯底端與所述襯底切換單元連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有防反接電路的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述襯底切換單元包括：第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的源極端與所述第三PMOS管的柵極端連接，同時接入電源電壓，所述第二PMOS管的漏極端與所述第三PMOS管的漏極端連接，所述第二PMOS管的柵極端與所述第三PMOS管的源極端連接，同時接入所述內(nèi)部電路的輸入電壓，所述第二PMOS管的襯底端與所述第三PMOS管的襯底端連接，同時與所述第二PMOS管的漏極端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反接電路的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述ESD保護(hù)電路包括：一NMOS管，所述NMOS管的漏極端與所述防反接電路連接，所述NMOS管的源極端與其柵極端連接，同時與負(fù)電源輸入端連接，所述NMOS管的襯底端與其源極端連接。
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