[實用新型]一種硅片承載機構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820275403.0 | 申請日： | 2018-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN207572345U | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葛林五;陳景韶;葛林新;李杰;丁高生 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海提牛機電設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海智力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周濤 |
| 地址： | 201405 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片卡槽 硅片承載 承載機構(gòu) 硅片清洗 距離相等 硅片 底座 硅片承載花籃 本實用新型 對稱設(shè)置 上表面 圓心角 相等 承載 | ||
1.一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，該承載機構(gòu)包括底座（1）、第一硅片承載架（2）和第二硅片承載架（3），所述第一硅片承載架（2）和第二硅片承載架（3）對稱設(shè)置在底座（1）的上表面上，所述第一硅片承載架（2）的頂部設(shè)有多道第一硅片卡槽（4），相鄰的兩個第一硅片卡槽（4）之間的距離相等，所述第二硅片承載架（3）的頂部設(shè)有多道第二硅片卡槽（5），相鄰的兩個第二硅片卡槽（5）之間的距離相等，所述第一硅片卡槽（4）和第二硅片卡槽（5）一一對應(yīng)，所述第一硅片卡槽（4）的槽底和第二硅片卡槽（5）的槽底均處于同一弧面上，所述第一硅片卡槽（4）的槽底和第二硅片卡槽（5）的槽底所處弧面的半徑與該承載機構(gòu)所承載的硅片（10）的半徑相等，所述第一硅片卡槽（4）和第二硅片卡槽（5）之間的圓心角α小于180°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述底座（1）的上表面上設(shè)有第一定位槽和第二定位槽，所述第一定位槽和第二定位槽相平行，所述第一硅片承載架（2）的下表面設(shè)有與第一定位槽相匹配的第一定位凸條，所述第一定位凸條伸入至第一定位槽內(nèi)，所述第二硅片承載架（3）的下表面設(shè)有與第二定位槽相匹配的第二定位凸條，所述第二定位凸條伸入至第二定位槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述第一硅片卡槽（4）和第二硅片卡槽（5）均有25或26個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，該承載機構(gòu)還包括第三硅片承載架（6），所述第三硅片承載架（6）設(shè)在底座（1）的上表面上，所述第三硅片承載架（6）設(shè)在第一硅片承載架（2）和第二硅片承載架（3）之間，所述第三硅片承載架（6）與第一硅片承載架（2）相平行，所述第三硅片承載架（6）的頂部設(shè)有多道第三硅片卡槽（7），所述第三硅片卡槽（7）與第一硅片卡槽（4）一一對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述第三硅片卡槽（7）的槽底均處于同一平面上，且所述第三硅片卡槽（7）的槽底所在的平面與第一硅片卡槽（4）的槽底所在的弧面相切。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述第三硅片卡槽（7）的槽底均處于同一弧面上，且所述第三硅片卡槽（7）的槽底所在的弧面與第一硅片卡槽（4）的槽底所在的弧面重合。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述底座（1）的上表面上設(shè)有第三定位槽，所述第三定位槽與第一定位槽相平行，所述第三硅片承載架（6）的下端伸入至第三定位槽內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述第一硅片承載架（2）、第二硅片承載架（3）和第三硅片承載架（6）均與底座（1）通過螺栓連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，第一硅片承載架（2）、第二硅片承載架（3）、第三硅片承載架（6）和底座（1）均為U-PVC材質(zhì)或PEEK材質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片承載機構(gòu)，其特征在于，所述底座（1）上設(shè)有多個安裝孔（8）。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
