本實用新型屬于光電探測技術領域，具體為一種有機光電倍增探測器，包括基底(1)，其特征在于：所述的基底(1)上設置有光電倍增層（2），所述的光電倍增層（2）為雙層復合結構，包括第一光電倍增層（201）和第二光電倍增層（202），所述的第一光電倍增層（201）為TPBI，第一光電倍增層（201）厚度為2?5 nm，所述的第二光電倍增層（202）設置在第一光電倍增層（201）之上，第二光電倍增層（202）為MoO3，第二光電倍增層（202）的厚度為5 nm，所述的光電倍增層（2）上設置光吸收層（3），所述的光吸收層（3）上設置有陰極緩沖層（4），所述的陰極緩沖層（4）上設置反射電極層（5）。

技術領域

本實用新型屬于光電探測技術領域，具體為一種有機光電倍增探測器。

背景技術

有機半導體材料由于其消光系數高、成本低、綠色、可制成大面積柔性器件而備受人們的關注。隨著有機半導體材料的不斷發展，基于有機材料的光電子器件性能也有了大幅度提高，有機光探測器的研究也備受人們的關注。目前文獻報道的有機光探測器主要基于有機光伏效應。有機材料捕獲太陽光子而產生激子，激子擴散到給受體材料的界面處，解離成自由載流子，載流子被電極收集，從而產生光生電流，實現對光的探測和響應。由于受到材料消光系數、激子解離效率、載流子傳輸與收集效率的影響，這類光探測器的外量子效率都小于100％，對于弱光或超弱光探測，器件的響應度就受到了限制。

所以，提供一種外量子效率大于100%的有機光電倍增探測器成為我們要解決的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種有機光電倍增探測器，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種有機光電倍增探測器，包括基底，其特征在于：所述的基底上設置有光電倍增層，所述的光電倍增層為雙層復合結構，包括第一光電倍增層和第二光電倍增層，所述的第一光電倍增層為TPBI，第一光電倍增層厚度為2-5 nm，所述的第二光電倍增層設置在第一光電倍增層之上，第二光電倍增層為MoO3，第二光電倍增層的厚度為5 nm，所述的光電倍增層上設置光吸收層，所述的光吸收層上設置有陰極緩沖層，所述的陰極緩沖層上設置反射電極層。

作為優選的，所述的基底為ITO導電玻璃，ITO導電玻璃的平均可見光透過率大于90%。

作為優選的，所述的光吸收層為雙層結構，包括依次層疊的rubrene層和C60層，其中rubrene層的厚度為20-40 nm，C60層的厚度為35-65 nm。

作為優選的，所述的陰極緩沖層為Bphen，陰極緩沖層的厚度為5-10 nm。

作為優選的，所述的反射電極層為Al，反射電極層的厚度為60-200 nm。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型采用雙層光電倍增層結構，其中第一光電倍增層用于阻擋光吸收層中形成的光生空穴，第二光電倍增層用于提高器件內建電場，促進光吸收層中形成的光生空穴向第一光電倍增層處運動，從而使得光生空穴在第一光電倍增層大量的積累，通過光生空穴在第一光電倍增層大量的積累促進電子從ITO陽極向器件內部的注入，從而實現光電倍增，本實用新型可以大大提高了探測器的響應度，使得探測器的外量子效率遠超過100%。

附圖說明

圖1為本實用新型整體結構示意圖；

圖2為本實用新型中光電倍增層結構示意圖；

圖中：1-基底，2-光電倍增層，3-光吸收層,4-陰極緩沖層,5-反射電極層，201-第一光電倍增層, 202-第二光電倍增層。

具體實施方式