[實(shí)用新型]一種有機(jī)光電倍增探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820128920.5 | 申請日： | 2018-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN208078030U | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董春梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京古藤星電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/44 | 分類號： | H01L51/44;H01L51/46;H01L27/144 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210008 江蘇省南京市江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 倍增層 陰極緩沖層 光吸收層 探測器 基底 倍增 雙層復(fù)合結(jié)構(gòu) 本實(shí)用新型 反射電極層 光電探測 | ||
1.一種有機(jī)光電倍增探測器，包括基底(1)，其特征在于：所述的基底(1)上設(shè)置有光電倍增層（2），所述的光電倍增層（2）為雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括第一光電倍增層（201）和第二光電倍增層（202），所述的第一光電倍增層（201）為TPBI，第一光電倍增層（201）厚度為2-5 nm，所述的第二光電倍增層（202）設(shè)置在第一光電倍增層（201）之上，第二光電倍增層（202）為MoO3，第二光電倍增層（202）的厚度為5 nm，所述的光電倍增層（2）上設(shè)置光吸收層（3），所述的光吸收層（3）上設(shè)置有陰極緩沖層（4），所述的陰極緩沖層（4）上設(shè)置反射電極層（5）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)光電倍增探測器，其特征在于：所述的基底(1)為ITO導(dǎo)電玻璃，ITO導(dǎo)電玻璃的平均可見光透過率大于90%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)光電倍增探測器，其特征在于：所述的光吸收層（3）為雙層結(jié)構(gòu)，包括依次層疊的rubrene層和C60層，其中rubrene層的厚度為20-40 nm，C60層的厚度為35-65 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)光電倍增探測器，其特征在于：所述的陰極緩沖層（4）為Bphen，陰極緩沖層（4）的厚度為5-10 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有機(jī)光電倍增探測器，其特征在于：所述的反射電極層（5）為Al，反射電極層（5）的厚度為60-200 nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京古藤星電子科技有限公司，未經(jīng)南京古藤星電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201820128920.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
