本實用新型屬于光電顯示技術領域，具體為一種倒置結構的頂發射光電顯示器件,包括襯底，其特征在于：所述襯底上設置有反射電極，反射電極上設置有新型陰極緩沖層，所述的新型陰極緩沖層為三層復合結構，包括第一陰極緩沖層，第二陰極緩沖層和第三陰極緩沖層，第一陰極緩沖層為TiO2，第一陰極緩沖層厚度為30 nm，所述的第二陰極緩沖層設置在第一陰極緩沖層之上，第二陰極緩沖層為Ag，第二陰極緩沖層的厚度為0.3 nm，所述的第三陰極緩沖層設置在第二陰極緩沖層之上，第三陰極緩沖層為BCP，第三陰極緩沖層的厚度為45 nm，所述的新型陰極緩沖層上設置有光發射層，所述的光發射層上設置有陽極緩沖層，陽極緩沖層上設置有透明陽極層。

技術領域

本實用新型屬于光電顯示技術領域，具體為一種倒置結構的頂發射光電顯示器件。

背景技術

經過多年的發展，有機光電顯示器件獲得了巨大進步，但還是存在一些問題。主要有:傳統的正向結構的有機光電顯示器件壽命穩定性差，采用倒置結構可以部分解決壽命問題，但是需要設計良好的陰極緩沖層，以降低電極的功函數，促進電子的收集。另一方面，采用傳統的底部發射結構的顯示器件，由于器件底部還需要配置驅動電路，會大幅降低光出射面積，影響顯示器件的開口率，對于倒置結構的顯示器件則沒有這一問題。因為驅動設計在不透光的底部，光線出射則在器件的頂部。

所以，提供一種倒置結構的頂發射光電顯示器件成為我們要解決的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種倒置結構的頂發射光電顯示器件，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種倒置結構的頂發射光電顯示器件，包括襯底，其特征在于：所述襯底上設置有反射電極，反射電極上設置有新型陰極緩沖層，所述的新型陰極緩沖層為三層復合結構，包括第一陰極緩沖層，第二陰極緩沖層和第三陰極緩沖層，第一陰極緩沖層為TiO2，第一陰極緩沖層厚度為30 nm，所述的第二陰極緩沖層設置在第一陰極緩沖層之上，第二陰極緩沖層為Ag，第二陰極緩沖層的厚度為0.3 nm，所述的第三陰極緩沖層設置在第二陰極緩沖層之上，第三陰極緩沖層為BCP，第三陰極緩沖層的厚度為45 nm，所述的新型陰極緩沖層上設置有光發射層，所述的光發射層上設置有陽極緩沖層，陽極緩沖層上設置有透明陽極層，所述的透明陽極層為四層結構，包括依次層疊的第一陽極層、第二陽極層、第三陽極層和第四陽極層，所述的第一陽極層為MoO3，第一陽極層的厚度為3 nm，所述的第二陽極層設置于第一陽極層之上，所述的第二陽極層為Ag，第二陽極層厚度為12 nm，所述的第三陽極層設置于第二陽極層之上，所述的第三陽極層為WO3，第三陽極層的厚度為18 nm, 所述的第四陽極層設置于第三陽極層之上，所述的第四陽極層為Al2O3，第四陽極層的厚度為5 nm。

作為優選的，所述的襯底為單晶硅。

作為優選的，所述的反射電極為Al或者Ag，反射電極的厚度為500 nm，反射電極表面均方根粗糙度小于2 nm。

作為優選的，所述的光發射層為Ir(btp)₂(acac)，光發射層的厚度為0.3 nm。

作為優選的，所述的陽極緩沖層為CBP，陽極緩沖層的厚度為28 nm。