[實用新型]一種倒置結構的頂發射光電顯示器件有效
| 申請號: | 201820121222.2 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN207977316U | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 晉佳佳 | 申請(專利權)人: | 晉佳佳 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 241000 安徽省蕪*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陰極緩沖層 光電顯示器件 陽極緩沖層 倒置結構 反射電極 光發射層 頂發射 襯底 三層復合結構 本實用新型 透明陽極層 光電顯示 | ||
1.一種倒置結構的頂發射光電顯示器件,包括襯底(1),其特征在于:所述襯底(1)上設置有反射電極(2),反射電極(2)上設置有新型陰極緩沖層(3),所述的新型陰極緩沖層(3)為三層復合結構,包括第一陰極緩沖層(301),第二陰極緩沖層(302)和第三陰極緩沖層(303),第一陰極緩沖層(301)為TiO2,第一陰極緩沖層(301)厚度為30 nm,所述的第二陰極緩沖層(302)設置在第一陰極緩沖層(301)之上,第二陰極緩沖層(302)為Ag,第二陰極緩沖層(302)的厚度為0.3 nm,所述的第三陰極緩沖層(303)設置在第二陰極緩沖層(302)之上,第三陰極緩沖層(303)為BCP,第三陰極緩沖層(303)的厚度為45 nm,所述的新型陰極緩沖層(3)上設置有光發射層(4),所述的光發射層(4)上設置有陽極緩沖層(5),陽極緩沖層(5)上設置有透明陽極層(6),所述的透明陽極層(6)為四層結構,包括依次層疊的第一陽極層(601)、第二陽極層(602)、第三陽極層(603)和第四陽極層(604),所述的第一陽極層(601)為MoO3,第一陽極層(601)的厚度為3 nm,所述的第二陽極層(602)設置于第一陽極層(601)之上,所述的第二陽極層(602)為Ag,第二陽極層(602)厚度為12 nm,所述的第三陽極層(603)設置于第二陽極層(602)之上,所述的第三陽極層(603)為WO3,第三陽極層(603)的厚度為18 nm, 所述的第四陽極層(603)設置于第三陽極層(603)之上,所述的第四陽極層(604)為Al2O3,第四陽極層(604)的厚度為5 nm。
2.根據權利要求1所述的一種倒置結構的頂發射光電顯示器件,其特征在于:所述的襯底(1)為單晶硅。
3.根據權利要求1所述的一種倒置結構的頂發射光電顯示器件,其特征在于:所述的反射電極(2)為Al或者Ag,反射電極(2)的厚度為500 nm,反射電極(2)表面均方根粗糙度小于2 nm。
4.根據權利要求1所述的一種倒置結構的頂發射光電顯示器件,其特征在于:所述的光發射層(4)為Ir(btp)2(acac),光發射層(4)的厚度為0.3 nm。
5.根據權利要求1所述的一種倒置結構的頂發射光電顯示器件,其特征在于:所述的陽極緩沖層(5)為CBP,陽極緩沖層(5)的厚度為28 nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





