[發明專利]SRAM讀寫跟蹤電路及方法、字線電壓調制裝置、系統及方法有效
| 申請號： | 201811569850.8 | 申請日： | 2018-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN109637574B | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 張一平 | 申請（專利權）人： | 成都海光集成電路設計有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08;G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京天達共和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 薛侖 |
| 地址： | 610015 四川省成都市成都高新區天府大*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sram 讀寫 跟蹤 電路 方法 電壓 調制 裝置 系統 | ||
1.一種SRAM讀寫跟蹤電路，其特征在于，
所述SRAM讀寫跟蹤電路包括用于進行讀測試和寫測試的一個以上的測試用SRAM單元，
在從外部對所述測試用SRAM單元依次施加一個以上的測試用字線電壓時，所述SRAM讀寫跟蹤電路在每個所述測試用字線電壓下分別進行讀測試和寫測試，并按照每個測試用字線電壓輸出表示所述測試用SRAM單元的讀測試和寫測試成功與否的測試結果，
所述SRAM讀寫跟蹤電路在每一測試用字線電壓下，在所述測試用SRAM單元的讀測試和寫測試都成功的情況下，輸出讀寫成功信號，否則輸出讀寫失敗信號。
2.如權利要求1所述的SRAM讀寫跟蹤電路，其特征在于，
所述測試用SRAM單元兼用于讀測試和寫測試，
所述SRAM讀寫跟蹤電路在每一測試用字線電壓下，針對所述測試用SRAM單元的每一個分別進行讀測試和寫測試。
3.如權利要求1所述的SRAM讀寫跟蹤電路，其特征在于，
所述測試用SRAM單元分為專用于進行讀測試的讀測試用SRAM單元、和專用于進行寫測試的寫測試用SRAM單元，
所述SRAM讀寫跟蹤電路在每一測試用字線電壓下，針對所述讀測試用SRAM單元進行讀測試，并針對所述寫測試用SRAM單元進行寫測試。
4.如權利要求3所述的SRAM讀寫跟蹤電路，其特征在于，
所述測試用SRAM單元由6個MOS晶體管構成，在所述SRAM讀寫跟蹤電路中，2個NMOS晶體管和2個PMOS晶體管構成2個交叉耦合的反相器，其余2個NMOS晶體管中的一個柵極連接于所述字線，另一個柵極連接于重置開關。
5.如權利要求4所述的SRAM讀寫跟蹤電路，其特征在于，
分別包括多個所述讀測試用SRAM單元和所述寫測試用SRAM單元，其上述一個柵極連接到共同的字線，
多個所述讀測試用SRAM單元的輸出連接到或非門，
多個所述寫測試用SRAM單元的輸出連接到第一與門，
所述或非門的輸出和所述第一與門的輸出連接到第二與門。
6.一種SRAM字線電壓調制裝置，其特征在于，包括：
SRAM讀寫跟蹤電路，其包括用于進行讀測試和寫測試的一個以上的測試用SRAM單元；以及
字線電壓調制電路，
在測試模式下，所述字線電壓調制電路生成一個以上測試用字線電壓，并輸出到所述SRAM讀寫跟蹤電路，所述SRAM讀寫跟蹤電路在每個所述測試用字線電壓下分別進行讀測試和寫測試，并按照每個測試用字線電壓輸出表示所述測試用SRAM單元的讀測試和寫測試成功與否的測試結果，
在普通讀寫模式下，所述字線電壓調制電路根據所述SRAM讀寫跟蹤電路的測試結果來生成調制字線電壓，
所述SRAM讀寫跟蹤電路在每一測試用字線電壓下，在所述測試用SRAM單元的讀測試和寫測試都成功的情況下，輸出讀寫成功信號，否則輸出讀寫失敗信號。
7.如權利要求6所述的SRAM字線電壓調制裝置，其特征在于，還包括：
第一移位寄存器，其對所述字線電壓調制電路提供第一控制信號；
所述字線電壓調制電路根據來自所述第一移位寄存器的所述第一控制信號，生成所述一個以上測試用字線電壓。
8.如權利要求7所述的SRAM字線電壓調制裝置，其特征在于，
還包括測試結果選擇電路，
在所述SRAM讀寫跟蹤電路輸出了多個讀寫成功信號的情況下，所述測試結果選擇電路選擇與所述多個讀寫成功信號對應的電壓中居中的電壓所對應的讀寫成功信號作為第二控制信號提供給所述字線電壓調制電路，
在普通讀寫模式下，所述字線電壓調制電路根據所述第二控制信號來生成調制字線電壓。
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