本申請涉及濺射靶和濺射方法。特定而言，描述濺射靶和對于高度均勻的濺射沉積使用常規濺射靶以及本文中描述的濺射靶的濺射方法。

本申請是申請日為2012年6月14日，申請號為201280037352.3，發明名稱為“濺射靶和濺射方法”的申請的分案申請。

相關申請案的交叉引用

本申請根據35U.S.C.§119(e)要求2011年6月30日提交的美國臨時申請第61/503,547號的優先權權利，其以引用的方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及濺射靶。特定而言，描述濺射靶和對于高度均勻的濺射沉積使用常規濺射靶以及本文中描述的濺射靶的濺射方法。

背景技術

濺射是用高能粒子連續轟擊固體靶材料的過程，且結果，靶材料的原子被從靶逐出。濺射通常在許多高科技應用中用于薄膜沉積。通常，使用氬等離子體來從靶濺射材料，且將所述材料沉積到基板上。

隨著濺射技術的改進，許多工業正朝其上實行薄膜沉積的更大面積的基板發展。例如，在半導體工業中，處理更大的半導體晶片基板提供用于制造計算機芯片和相關電路設備的更高的裸芯片產量。在另一實例中，薄膜涂層對于具有高科技涂層的太陽能電池和窗戶使用于大幅面的玻璃基板上，如由玻璃或其它透明基板上沉積的材料堆制成的用于制造電致變色(EC)窗戶的電致變色設備。許多這些應用需要高度均勻的涂層，以制造表現良好的太陽能設備或電致變色設備。隨著技術發展，這種涂層變得越來越薄，且因此構成這些涂層的層的均勻性必須相應地更高。

濺射沉積層的非均勻性隨著使用更大的基板變得更是問題，因為以一致的高均勻性涂布較大區域是個挑戰。例如，沉積材料的形態、覆蓋度和/或厚度在基板的不同區域中可能不同。這些變化可能是由于等離子體密度上的對應變化，其在一些情況中可能與濺射靶中的非均勻性和/或使用分區的濺射靶相關。

發明內容

本文中描述的實施方案包括濺射靶和濺射方法。一個實施方案是一種濺射靶總成，其包括：(a)背部支撐件；和(b)在所述背部支撐件上組裝的兩個或多個濺射靶分區，所述兩個或多個濺射靶分區的組裝界定靶區域，其包括在所述兩個或多個濺射靶分區之間的至少一個間隙或接縫。所述兩個或多個濺射靶分區被構造使得從背部支撐件到兩個或多個濺射靶分區的前面在垂直于背部支撐件的表面的方向上，在任何兩個或多個濺射靶分區之間沒有視線。即，從直接看(垂直于平行于濺射靶和/或基板的平面，因為其在濺射期間是大體上平行的)濺射靶總成的視角而言，其上執行濺射沉積的基板隨著其經過濺射靶總成而無法“看到”背部支撐件。在一些實施方案中，背部支撐件可以是背部板(例如，對于平面濺射靶總成)或背部管(例如，對于圓柱形濺射靶總成)。在各種實施方案中，兩個或多個濺射靶分區被構造使得其不彼此物理接觸，但是具有重疊邊緣區，其防止從垂直于背部支撐件和/或基板和/或濺射靶分區的濺射表面的方向的視線。在某些實施方案中，在兩個或多個濺射靶分區之間從垂直于濺射表面的平面或垂直于圓柱形靶總成的縱軸的平面中的任何角度到背部支撐件都沒有視線。

各種實施方案包括具有兩個或多個濺射靶分區的濺射靶總成，所述兩個或多個濺射靶分區包括用于濺射沉積鎳鎢氧化物的材料。這種材料可包括鎳鎢合金和/或燒結的鎳鎢復合物。

某些實施方案包括將材料濺射沉積到基板上的方法。一個這種實施方案是一種當使用包括兩個或多個濺射靶分區的濺射靶總成時將材料濺射沉積到基板上的方法，所述方法包括：(a)將所述基板提供于濺射腔中；和(b)當將所述材料濺射到所述基板的工作表面上時將所述基板傳遞經過所述濺射靶總成；其中所述兩個或多個濺射靶分區被構造使得所述基板的大體上所有工作表面以與濺射沉積期間濺射靶表面區域與兩個或多個濺射靶分區(基板被暴露到所述濺射靶分區)之間的任何非濺射靶區域和/或接縫的相同比率被暴露。